[发明专利]窄边框触摸输入薄片及其制造方法以及用于窄边框触摸输入薄片的导电性薄片有效

专利信息
申请号: 201080040172.1 申请日: 2010-09-08
公开(公告)号: CN102498462A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 坂田喜博;桥本孝夫;甲斐义宏;森川裕司 申请(专利权)人: 日本写真印刷株式会社
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;G06F3/044
代理公司: 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 代理人: 吴京顺;任晓航
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 边框 触摸 输入 薄片 及其 制造 方法 以及 用于 导电性
【权利要求书】:

1.一种窄边框触摸输入薄片,包括:

透明衬底薄片,一张或多张衬底薄片层压而成;

透明导电膜,形成在所述一张透明衬底薄片的外表面及内表面上或者所述多张衬底薄片层压而成的透明衬底薄片的最外表面及最内表面上;

遮光性电极用导电膜,形成在各所述透明导电膜上;

第一抗蚀层,形成在各所述遮光性电极用导电膜上,其中,

位于所述衬底薄片的中央窗部的所述透明导电膜及所述遮光性电极用导电膜通过所述第一抗蚀层的曝光和显像之后的蚀刻,形成位置不偏地层压的所需图案,

位于所述衬底薄片外侧边缘部的所述透明导电膜及所述遮光性电极用导电膜通过所述第一抗蚀层的曝光和显像之后的蚀刻,形成位置不偏地层压的细微布线电路图案,

通过去除所述第一抗蚀层,并进一步蚀刻去除位于所述中央窗部的所述遮光性电极用导电膜,由此位于所述中央窗部的所述透明导电膜将构成电路图案。

2.根据权利要求1所述的窄边框触摸输入薄片,其特征在于:还包括覆盖位于所述外侧边缘部的所述透明导电膜及所述遮光性电极用导电膜的第二抗蚀层。

3.根据权利要求1或2所述的窄边框触摸输入薄片,其特征在于:所述衬底薄片为塑料膜。

4.根据权利要求1至3任一项所述的窄边框触摸输入薄片,其特征在于:所述遮光性电极用导电膜是厚度为20nm~1000nm的铜箔。

5.根据权利要求1至4任一项所述的窄边框触摸输入薄片,其特征在于:所述窄边框触摸输入薄片为静电容量式窄边框触摸输入薄片。

6.根据权利要求1至5任一项所述的窄边框触摸输入薄片,其特征在于:在所述构成的两面上进一步贴合透光性保护膜。

7.根据权利要求6所述的窄边框触摸输入薄片,其特征在于:所述透光性保护膜由环状烯烃类树脂膜构成。

8.根据权利要求1至7任一项所述的窄边框触摸输入薄片,其特征在于:所述中央窗部的相位差值为20nm以下。

9.一种导电性薄片,包括:

透明衬底薄片,一张或多张衬底薄片层压而成;

透明导电膜,形成在所述一张透明衬底薄片的外表面及内表面上或所述多张衬底薄片层压而成的透明衬底薄片的最外表面及最内表面上;

遮光性电极用导电膜,形成在各所述透明导电膜上;

第一抗蚀层,形成在各所述遮光性电极用导电膜上。

10.根据权利要求9所述的导电性薄片,其特征在于:所述衬底薄片为塑料膜。

11.根据权利要求9或10所述的导电性薄片,其特征在于:所述遮光性电极用导电膜是厚度为20nm~1000nm的铜箔。

12.一种窄边框触摸输入薄片的制造方法,在透明衬底薄片两面上分别依次层压透明导电膜、遮光性电极用导电膜、第一抗蚀层,然后在两面上同时曝光第一抗蚀层,并对其进行显像,然后通过对透明导电膜及遮光性电极用导电膜同时进行蚀刻并剥离第一抗蚀层,由此在衬底薄片两面外侧边缘部上分别形成层压有透明导电膜及遮光性电极用导电膜的细微布线电路图案,然后在各个细微布线电路图案上以覆盖的方式形成第二抗蚀层,并通过仅对没有形成有第二抗蚀层的遮光性电极用导电膜层进行蚀刻,由此在两面中央窗部上暴露形成透明导电膜电路图案。

13.一种窄边框触摸输入薄片的制造方法,在两张透明衬底薄片上分别依次层压透明导电膜、遮光性电极用导电膜、第一抗蚀层,并通过将两张衬底薄片以相对而置的方式层压,由此在层压的衬底薄片两面上形成透明导电膜、遮光性电极用导电膜、第一抗蚀层,然后在两面上同时曝光第一抗蚀层,并对其进行显像,然后通过同时对透明导电膜及遮光性电极用导电膜进行蚀刻并剥离第一抗蚀层,由此在两面外侧边缘部上形成透明导电膜及遮光性电极用导电膜依次层压的细微布线电路图案,然后在细微布线电路图案上以覆盖的方式形成第二抗蚀层,并通过仅对没有形成有第二抗蚀层的中央窗部的遮光性电极用导电膜进行蚀刻,由此暴露形成透明导电膜电路图案。

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