[发明专利]对半导体衬底的表面进行活化的溶液和方法

权利要求书

1.对衬底表面进行活化的溶液，活化的目的是随后用通过无电途径沉积的金属层覆盖所述表面，所述表面仅由聚合物组成，或包含至少一个由聚合物形成的区域和至少一个由氧化物、尤其是氧化硅形成的区域，其特征在于，所述溶液包含：

A)由一种或多种钯复合物形成的活化剂，所述钯复合物选自于由下述复合物所形成的组：

·式(I)的钯复合物

其中：

-R1和R2相同，表示H、CH₂CH₂NH₂、CH₂CH₂OH；

或R1表示H，R2表示CH₂CH₂NH₂；

或R1表示CH₂CH₂NH₂，R2表示CH₂CH₂NHCH₂CH₂NH₂；

或R1表示H，R2表示CH₂CH₂NHCH₂CH₂NHCH₂CH₂NH₂；

-X表示选自于由Cl^-、Br^-、I^-、H₂O、NO₃^-、CH₃SO₃^-、CF₃SO₃^-、CH₃-Ph-SO₃^-、CH₃COO^-所形成的组中的配位体；

·式IIa或式IIb的钯复合物

其中：

-R1和R2如上述定义；并且

-Y表示具有两个负电荷的反离子，所述反离子：

-或者由两个一价阴离子形成，所述一价阴离子优选选自于由Cl^-、PF₆^-、BF₄^-、NO₃^-、CH₃SO₃^-、CF₃SO₃^-、CH₃-C₆H₄-SO₃^-、CH₃COO^-形成的组；

-或者由二价阴离子形成，优选SO₄^2-；

B)由一种或多种有机化合物形成的粘合剂，所述有机化合物选自于由含至少两个缩水甘油基官能团的化合物和含至少两个异氰酸酯官能团的化合物所形成的组；

C)由一种或多种溶剂形成的溶剂体系，所述溶剂体系能够溶解所述活化剂和所述粘合剂。

2.如权利要求1所述的溶液，其特征在于，所述溶液包含：

-浓度为10^-6M至10^-2M、优选10^-5M至10^-3M、更优选5×10^-5M至5×10^-4M的所述活化剂；

-浓度为10^-5M至10^-1M、优选10^-4M至10^-2M、更优选5×10^-4M至5×10^-3M的所述粘合剂。