[发明专利]存储器扭结检查

权利要求书

1.一种用于操作存储器装置的方法，其包含：

根据第一存储器单元的编程状态将多个电压中的一者选择性地施加到第一数据线，其中所述第一存储器单元耦合到所述第一数据线及选定存取线；

确定至少部分地由于施加到所述第一数据线的所述电压及至少所述第一数据线与第二数据线之间的电容性耦合所致的对所述第二数据线的影响，其中所述第二数据线耦合到第二存储器单元，所述第二存储器单元邻近于所述第一存储器单元，且所述第二存储器单元耦合到所述选定存取线；及

响应于所述所确定的影响，在施加到所述第二存储器单元的后续编程脉冲期间将扭结校正施加到所述第二数据线。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括在施加所述多个电压中的所述一者的同时，使所述第二数据线浮动。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括：

根据第三存储器单元的编程状态将所述多个电压中的一者选择性地施加到第三数据线，其中所述第三数据线耦合到所述第三存储器单元，所述第三存储器单元邻近于所述第二存储器单元，且所述第三存储器单元耦合到所述选定存取线；及

确定至少部分地由于施加到所述第一数据线的所述电压及施加到所述第三数据线的所述电压所致的对所述第二数据线的影响。

4.根据权利要求1所述的方法，其中确定对所述第二数据线的所述影响包括感测所述第二数据线上的电压，其中至少部分地通过施加到所述第一数据线的所述电压来确定所述第二数据线上的所述电压。

5.根据权利要求1所述的方法，其中确定对所述第二数据线的所述影响包括在将所述多个电压中的所述一者施加到所述第一数据线的同时确定所述影响。

6.根据权利要求1所述的方法，其中从包括编程完成及编程未完成的编程状态群组中选择所述编程状态。

7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，其中选择性地施加所述多个电压中的一者包括：

当所述第一存储器单元的所述编程状态为编程未完成时，施加第一扭结检查电压；及

当所述第一存储器单元的所述编程状态为编程完成时，施加第二扭结检查电压。

8.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，其中将扭结校正施加到所述第二数据线包括将扭结校正电压施加到所述第二数据线。

9.根据权利要求8所述的方法，其中施加所述扭结校正电压包括施加具有对应于在所述第二数据线上所感测的电压的量值的电压。

10.根据权利要求9所述的方法，其中施加所述扭结校正电压包括施加具有与在所述第二数据线上所感测的所述电压成比例的量值的电压。

11.一种用于操作存储器装置的方法，其包含：

在施加编程脉冲之前执行第一扭结检查，其包括：

使第一数据线浮动且将多个电压中的一者选择性地施加到第二数据线，其中施加到所述第二数据线中的相应一者的所述电压取决于耦合到所述第二数据线及存取线的存储器单元的编程状态，其中使耦合到所述存取线的多个存储器单元与所述第一数据线及所述第二数据线中的相应一者交替地相关联；及

感测所述第一数据线；及

在施加所述编程脉冲之前执行第二扭结检查，其包括：

使所述第二数据线浮动且将所述多个电压中的一者选择性地施加到所述第一数据线，其中施加到所述第一数据线中的相应一者的所述电压取决于所述多个存储器单元中的耦合到所述第一数据线及所述存取线的存储器单元的编程状态；及

感测所述第二数据线。

12.根据权利要求11所述的方法，其中感测所述第二数据线包括感测所述第二数据线以找出扭结。

13.根据权利要求11所述的方法，其中将所述多个电压中的一者选择性地施加到所述数据线包括：

当相应存储器单元的所述编程状态为完成编程时，施加第一电压；及

当所述相应存储器单元的所述编程状态为未完成编程时，施加第二电压。

14.根据权利要求11所述的方法，其中感测所述第一数据线包括感测所述第一数据线上的至少部分地由于与邻近第二数据线的电容性耦合所致的电压，每一邻近第二数据线具有所述多个电压中的施加到其的一者。