[发明专利]干膜光致抗蚀剂有效
申请号: | 201080043646.8 | 申请日: | 2010-09-29 |
公开(公告)号: | CN102549499A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 文熙岏;奉东勋;石想勋 | 申请(专利权)人: | 可隆工业株式会社 |
主分类号: | G03F7/09 | 分类号: | G03F7/09;G03F7/11;G03F7/075 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 黄丽娟;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 干膜光致抗蚀剂 | ||
技术领域
本发明涉及具有多层结构的干膜光致抗蚀剂。
背景技术
干膜光致抗蚀剂(dry film photoresi st)在1958年由美国的杜邦公司以“RISTON”的商品名开发出来以来,成为用于现在的电气、电子产业,尤其是印刷电路板等的加工的重要材料。
用于形成印刷电路板上的电路的光致抗蚀剂材料,全部的约50%左右使用感光性屏幕的印刷墨水,但在需要高密度和高可靠性的两面板及多层板的印刷电路基板的制作中,必需使用干膜光致抗蚀剂。
上述干膜光致抗蚀剂主要由基膜(base film)及感光树脂层(photosensitive layer)的两层结构层压而成,而且还包括保护膜以在使用干膜光致抗蚀剂之前保护感光树脂层。
一般而言,基膜使用聚对苯二甲酸乙等聚酯膜,而其厚度为为25μm左右。上述基膜在制作干膜光致抗蚀剂的过程中起到保护感光树脂层的作用,为具有粘接力的感官性树脂层的曝光提供便利。
感光树脂根据对光的反应机制分为负性和正性,在负性感光树脂的情况下,在曝光的部分产生光交联反应,而未曝光的部位被碱水洗掉,从而剩下抗饰图案;而在正性感光树脂的情况下,在曝光部位产生光分解反应并被碱性曝光,而在未曝光部分形成抗饰图案。
感光树脂层包括光聚合性单体、光聚合引发剂、粘合剂多聚物等并根据目的制作而成。上述感光树脂层涂布于基膜上,而在被涂布之后根据使用目的具备15~100μm的厚度。上述感光树脂层根据光致抗蚀剂所需的机械、化学性质和加工等条件具有各种成分。
另外,保护膜防止光致抗蚀剂的损伤,起到从灰尘等异物保护感光树脂层的保护盖的作用,其层压于未具备感光树脂层的基膜的另一面。
利用上述干膜光致抗蚀剂的图案形成方法的一例的过程如下:在应用于印刷电路基板上时,首先剥去保护膜并层压(lamination)于覆铜薄层压板(copper clad laminate,CCL)上之后,罩上所需图案的蒙片用紫外线(UV)照射进行曝光(exposing),接着利用适当的溶剂冲洗未硬化的部分进行显像(developing)。
一般来说,利用上述干膜之光抗蚀剂的时候,在进行曝光时在基膜上附着感光树脂层的情况下进行作业,因此,感光树脂层和蒙片隔开基膜厚度的距离,从而给提高分辨率带来限制。另外,在通过照射紫外光进行曝光时,因紫外线透过基膜,从而影响紫外线透射率,而且,因基膜内部粒子的紫外线散射等,给实现高分辨率带来限制。
为解决上述问题,可以在剥去基膜之后进行曝光,但因感光树脂层具有粘接性,因此,若剥去基膜,则蒙片将粘接于上述感光树脂层,从而降低分辨率,污染蒙片,缩短蒙片寿命。
因此,现实上难以在剥去基膜之后进行曝光,从而仍然无法解决降低分辨率的问题。
尤其是,随着印刷电路基板的高密度化及半导体封装技术的发展和电路宽度高密度化的需求,急需开发出可用于微细电路基板的高分辨率的干膜光致抗蚀剂。
发明内容
本发明的目的在于可u福现有技术之不足而提供一种干膜光致抗蚀剂,其可在去除基膜的状态下实施曝光工艺,从而提高分辨率,尤其是适当粘接基膜和树脂保护层,以在去除基膜时不会损伤树脂保护层。
在本发明的一实现例的干膜光致抗蚀剂中,包括层压的基膜、树脂保护层及感光树脂层,且上述树脂保护层为包括水溶性高分子及烷氧基乙醇。
在本发明的另一实现例的干膜光致抗蚀剂中,还包括层压于基膜上的离型层,上述离型层包括从硅树脂、氟树脂及脂肪族蜡中选择的一种以上,而上述树脂保护层包括重量平均分子量为5000~300000的聚乙烯醇。
在本发明又一实施例的干膜光致抗蚀剂中,上述树脂保护层包括30000ppm以下的烷氧基乙醇。
在本发明还一实施例的干膜光致抗蚀剂中,上述烷氧基乙醇具有碳数为1~12的烷氧基及碳数为1~12的乙醇。
在本发明再一实施例的干膜光致抗蚀剂中,上述烷氧基乙醇为丁氧基乙醇。
在本发明的另一实施例的干膜光致抗蚀剂中,将上述水溶性高分子溶解于包括水及烷氧基乙醇的溶剂之后,将其涂布于基膜上形成树脂保护层。
在本发明的另一实施例的干膜光致抗蚀剂中,上述溶剂是相对于100重量份的水包括1~43重量份的烷氧基乙醇。
在本发明的另一实施例的干膜光致抗蚀剂中,上述基膜及树脂保护层之间的粘接力为0.0005~0.01N/cm。
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