[发明专利]导电基板及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201080044418.2 申请日: 2010-07-20
公开(公告)号: CN102686523A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 朴钟昱;金昭沅;金相澔;崔贤;全相起 申请(专利权)人: LG化学株式会社
主分类号: C03B18/02 分类号: C03B18/02
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 黄丽娟;陈英俊
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 导电 及其 制备 方法
【说明书】:

对相关申请的交叉参考

本申请要求于2009年8月7号在韩国提交的韩国专利申请No.10-2009-0072682和于2010年7月6号在韩国提交的韩国专利申请No.10-2010-0064954的优先权,这两个韩国专利申请的全部内容通过引用的方式纳入本说明书中。

技术领域

本公开内容涉及一种具有形成于浮法玻璃上的导电图形的导电基板及其制备方法,且更具体而言,涉及一种导电基板及其制备方法,该方法可以在烧制导电基板的过程中防止在浮法玻璃中出现的变黄现象。

背景技术

一般而言,广泛用作导电基板的平板玻璃由浮法工艺制备。由浮法工艺制得的玻璃通常称为浮法玻璃。

图1是显示以典型浮法工艺制备浮法玻璃的常规方法的示意图。

参照图1,使用熔窑10、浮抛窑20和退火窑30进行用于制备浮法玻璃的常规方法。根据该常规方法,玻璃原材料进料到熔窑10中以形成熔融玻璃G。所形成的熔融玻璃G注入到浮抛窑20中。此时,在浮抛窑20中容纳有600~1,050°C的熔融金属M,例如熔融锡(Sn)或熔融锡合金。在熔融金属M上产生包括氢气和/或氮气的还原性气氛,以防止该熔融金属M的氧化。当所述熔融玻璃G连续进料到浮抛窑20中容纳的熔融金属M上时,比熔融金属M的粘度和重量低的熔融玻璃G漂浮和铺展在该熔融金属M上并流向浮抛窑20的下游。在这一过程中,所述熔融玻璃G根据其自身的表面张力和重力而达到一平衡厚度,并形成了固化至一定程度的玻璃条或玻璃带。该熔融的玻璃带通过邻近浮抛窑20出口的辊被拉向退火窑。在退火窑中冷却的玻璃被切成合适的尺寸,完成了浮法玻璃产品100。

同样地,为了通过浮法工艺制备玻璃,使用容纳有熔融金属M特别是熔融锡的浮抛窑20,因此锡成分存在于浮法玻璃100中。即,在浮抛窑20中,浮法玻璃100的下表面直接与熔融锡接触,因此锡成分可能通过所述下表面渗入浮法玻璃100。另外,通过浮抛窑20中的气氛,熔融锡的锡成分也可能通过浮法玻璃100的上表面渗入浮法玻璃100。渗入浮法玻璃100的锡成分可能扩散,因此该浮法玻璃100中可能含有1~1,000ppm或更多的锡成分。

然而,在锡成分扩散到浮法玻璃100中的情形中,如果将导电浆料(例如银浆料)印刷在浮法玻璃100的表面上,然后烧制,则在该浮法玻璃100中可能出现变黄现象。

更具体地,在熔融锡上制备浮法玻璃100的过程中,锡(Sn0)被以非常少的量存在的氧气氧化,并通过与玻璃中Na+的离子交换反应以Sn2+的形式渗入该玻璃。此处,Sn2+的渗入速率要比Sn0或Sn4+高得多。

然而,像以上那样开始渗入的Sn2+可能通过与玻璃中存在的Fe3+发生氧化还原反应而转变成Sn4+(Journal of Non-Crystalline Solids,2001,282,188)。

像这样,所述浮法玻璃100表面上的锡成分基本上以Sn2+的形式存在,而非常少量的锡成分以Sn0或Sn4+的形式存在。此处,在钠钙玻璃的情形中,基于和熔融锡接触的玻璃表面,Sn2+的扩散深度可以达到约20um。(J.Noncryst.Solids,2000,265,133-142)。

当在其上扩散有Sn2+的玻璃表面上由导电浆料形成导电图形,并进行高温烧制以固定该导电图形时,扩散到玻璃表面上的Sn2+和在烧制过程中产生的导电浆料中金属粉末的离子发生反应。例如,在通过使用(Ag)粉作为金属粉末Ag+是该金属粉末的离子的情形中,Sn2和Ag+根据下面反应式(1)进行反应。

反应式(1)

Sn2++2Ag+→Sn4++2Ag0;

通过上述反应,Ag+被还原成Ag0胶体粒子且变成黄棕色,这也称为变黄现象。

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