[发明专利]发光二极管用金属基板、发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管用金属基板，是用于制造发光二极管的发光二极管用金属基板，所述发光二极管具备金属基板和通过接合层接合于所述金属基板上的含有发光部的化合物半导体层，

其特征在于，

所述发光二极管用金属基板具备金属板和覆盖该金属板的至少上表面和下表面的金属保护膜。

2.根据权利要求1所述的发光二极管用金属基板，其特征在于，所述金属保护膜还覆盖所述金属板的侧面。

3.根据权利要求1或2的任一项所述的发光二极管用金属基板，其特征在于，所述金属板的热导率为130W/m·K以上，并且，热膨胀系数在所述发光部的热膨胀系数的±1.5ppm/K以内。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的发光二极管用金属基板，其特征在于，所述金属板含有选自铜、钼和钨中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的发光二极管用金属基板，其特征在于，所述金属板具备铜和钼的叠合结构。

6.根据权利要求1～5的任一项所述的发光二极管用金属基板，其特征在于，所述金属保护膜含有选自镍、铬、铂和金中的至少一种。

7.一种发光二极管，其特征在于，是具备权利要求1～6的任一项所述的发光二极管用金属基板和通过接合层接合于所述金属基板上的含有发光部的化合物半导体层的发光二极管，所述发光部具备AlGaInP层或AlGaAs层。

8.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，具有：

在金属板的全部面形成金属保护膜，制作发光二极管用金属基板的第1工序；

在半导体基板上形成含有发光部的化合物半导体层的第2工序；

在所述化合物半导体层上形成接合层的第3工序；

通过所述接合层将形成有所述化合物半导体层的所述半导体基板和所述金属基板接合的第4工序；和

使用蚀刻液除去所述半导体基板的第5工序。

9.根据权利要求8所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述第1工序具有：

热压接多个金属薄板来制作金属板的工序；和

通过镀覆在所述金属板的全部面形成金属保护膜的工序。