[发明专利]发光二极管用金属基板、发光二极管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管用金属基板、发光二极管及其制造方法。

本申请基于在2009年10月7日在日本提出的专利申请2009-233748号要求优先权，将其内容援引于本申请中。

背景技术

一直以来，作为发出红色或者红外的光的高输出功率发光二极管(英文简称：LED)，已知具备含有砷化铝镓(组成式Al_XGa_1-XAs；0≤X≤1)的发光层的化合物半导体LED。

另一方面，作为发出红色、橙色、黄色或者黄绿色的可见光的高辉度发光二极管(英文简称：LED)，已知具备含有磷化铝镓铟(组成式(Al_XGa_1-X)_YIn_1-YP；0≤X≤1，0＜Y≤1)的发光层的化合物半导体LED。

这样的LED一般形成于相对于从发光层射出的光在光学上不透明、并且机械强度不那么高的砷化镓(GaAs)等的基板材料上。

因此，最近，为了得到更高辉度的LED，另外，以元件的机械强度和散热性的进一步提高作为目的，曾公开了下述技术：在除去了相对于发光光为不透明的基板材料后，重新接合由透射或者反射发光光、并且机械强度和散热性优异的材料形成的支持体层(基板)，构成接合型LED(例如，参照专利文献1～7)。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2001-339100号公报

专利文献2：日本特开平6-302857号公报

专利文献3：日本特开2002-246640号公报

专利文献4：日本专利第2588849号公报

专利文献5：日本特开2001-57441号公报

专利文献6：日本特开2007-81010号公报

专利文献7：日本特开2006-32952号公报

发明内容

如上述那样，通过基板接合技术的开发，可以作为支持体层适用的基板的自由度增加，因此曾提出了在成本方面、机械强度或者散热性等具有较大优势的许多金属基板。

但是，金属基板与半导体基板、陶瓷基板等相比，存在与制造工艺中使用的化学药品反应发生腐蚀从而品质劣化的问题。具体地讲，存在对于碱或酸的处理发生溶解、变色、腐蚀，招致特性不良和收率降低的问题。

特别是在除去为了使半导体层生长而使用的砷化镓基板时，一般采用在碱或酸中长时间浸渍，将砷化镓基板全部溶解的工序。但是，金属基板不能够耐受该长时间的药品处理。

本发明是鉴于上述状况完成的，其目的是提供一种能够耐受基板除去工序的药品处理的耐化学性优异的具有新的结构的发光二极管用金属基板。

另外，其目的是提供一种通过使用该金属基板，特性稳定了的发光二极管。

此外，其目的是提供一种能够以高的收率制造具有稳定的特性的发光二极管的发光二极管的制造方法。

为了达到上述目的，本发明提供以下的(1)～(9)。

(1)一种发光二极管用金属基板，是用于制造发光二极管的发光二极管用金属基板，上述发光二极管具备金属基板和通过接合层接合于所述金属基板上的含有发光部的化合物半导体层，该发光二极管用金属基板的特征在于，发光二极管用金属基板具备金属板和覆盖该金属板的至少上表面和下表面的金属保护膜。

(2)根据前项(1)所述的发光二极管用金属基板，其特征在于，上述金属保护膜还覆盖上述金属板的侧面。

(3)根据前项(1)或(2)的任一项所述的发光二极管用金属基板，其特征在于，上述金属板的热导率为130W/m·K以上，并且，热膨胀系数在上述发光部的热膨胀系数的±1.5ppm/K以内。

(4)根据前项(1)～(3)的任一项所述的发光二极管用金属基板，其特征在于，上述金属板含有选自铜、钼和钨中的至少一种。

(5)根据前项(4)所述的发光二极管用金属基板，其特征在于，上述金属板由铜和钼的叠合结构构成。

(6)根据前项(1)～(5)的任一项所述的发光二极管用金属基板，其特征在于，上述金属保护膜含有选自镍、铬、铂和金中的至少一种。

(7)一种发光二极管，其特征在于，是具备前项(1)～(6)的任一项所述的发光二极管用金属基板和通过接合层接合于上述金属基板上的含有发光部的化合物半导体层的发光二极管，上述发光部具备AlGaInP层或AlGaAs层。