[发明专利]碳化硅成形体的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制造碳化硅成形体的方法。

背景技术

碳化硅陶瓷由于在常温及高温下化学稳定，并且高温下的机械强度也优良，因此被用作高温材料。近年来，在半导体制造领域中，逐渐将耐热性、耐蠕变性优良的高纯度的碳化硅陶瓷烧结体用于对半导体晶片进行热处理、或者使微量元素热扩散到半导体晶片中的工序中的舟皿或工艺管等。然而，由于碳化硅为难烧结性，因此即使想要成形为所需形状，若形状稍许复杂则也难以成形。因此，需求将碳化硅简便地成形为所需的形状、尺寸的方法。

另外，若这里所用的碳化硅陶瓷烧结体中含有对半导体有害的杂质元素，则会产生在半导体晶片的加热过程中该杂质元素渗入而发生污染的问题，因此这些用途中所用的碳化硅陶瓷烧结体优选的是尽可能为高纯度。

碳化硅成形体的制造方法已知悉使用硼等烧结助剂的方法(非专利文献1)、使熔融硅与以碳化硅及碳为主体的成形体接触的方法(非专利文献1)、使一氧化硅气体透过以碳化硅及碳为主体的成形体的方法(专利文献1)。但是，使用硼等烧结助剂的方法有硼成为杂质的问题。另外，使熔融硅接触的方法或者使一氧化硅气体透过的方法有需要特殊装置的缺点。

[先行技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2007-145665号公报

[非专利文献]

[非专利文献1]“SiC系陶瓷新材料”日本学术振兴会高温陶瓷材料第124委员会编

发明内容

[发明所欲解决的问题]

本发明的课题在于解决所述以前技术的问题，提供一种可以简便地制造具有所需的形状及尺寸的碳化硅成形体的方法。

[解决问题的技术手段]

本发明人等为了解决所述课题而进行了反复研究，结果发现，通过在非氧化性环境下对硬化性硅酮组合物的成形硬化物进行加热分解，可以解决所述课题。

即，本发明提供一种碳化硅成形体的制造方法，其包含以下工序：

将含有碳化硅粉末、或者碳化硅粉末与碳粉末的组合的硬化性硅酮组合物成形为所需的形状，使其硬化而获得具有所需的形状的硅酮硬化成形体；以及

然后，在非氧化性环境下对该硅酮硬化成形体进行加热分解。

[发明的效果]

碳化硅粉末通常为难烧结性，但是根据本发明的制造方法，通过使用含有碳化硅粉末或者碳化硅粉末与碳粉末的硬化性硅酮硬化物，可以容易地制造具有所需的形状及尺寸的碳化硅成形体。

另外，根据本发明的制造方法，由于起始原料为硅酮组合物，因此通过选择高纯度的硅酮组合物，也可以容易地制造高纯度的碳化硅成形体。

附图说明

无

具体实施方式

以下，对本发明进行详细说明。此外，本说明书中，“室温”是指周围温度，通常可以在10～35℃的范围内变化。

-工序(1)硬化性硅酮组合物的成形、硬化-

·硬化性硅酮组合物的制备：

本发明的方法中用作起始材料的硬化性硅酮组合物的种类并无特别限制，可以使用任意的硬化型的硬化性硅酮组合物。其具体例可以举出有机过氧化物硬化性、放射线硬化性反应性、加成硬化反性型、缩合硬化性的硅酮组合物等。从使所得的被覆为高纯度的方面来看，有机过氧化物硬化性以及放射线硬化性反应性的硅酮组合物较为有利，可以将所得的碳化硅成形体中的杂质元素的合计含量抑制为1ppm以下、优选0.5ppm以下、更优选0.1ppm以下。杂质元素特别可以举出Fe、Cr、Ni、Al、Ti、Cu、Na、Zn、Ca、Zr、Mg及B，可以存在它们中的一种或两种以上。可以如上文所述那样抑制它们的合计含量。

有机过氧化物硬化性硅酮组合物例如可以举出：使在分子链末端部分(单末端或两末端)及分子链非末端部分的任一部分或此两部分具有乙烯基等烯基的直链状有机聚硅氧烷在有机过氧化物的存在下进行自由基聚合，借此而硬化的硅酮组合物。

放射线硬化性硅酮组合物可以举出紫外线硬化性硅酮组合物以及电子束硬化性硅酮组合物。