[发明专利]磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置无效

专利信息
申请号: 201080045934.7 申请日: 2010-12-07
公开(公告)号: CN102576547A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 福岛正人 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: G11B5/84 分类号: G11B5/84
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;田欣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 记录 介质 制造 方法 再生 装置
【权利要求书】:

1.一种磁记录介质的制造方法,是在非磁性基板上形成磁性层后,通过对所述磁性层部分地注入离子,将该磁性层的注入了离子的部位的磁特性改性,从而形成磁性分离了的磁记录图案的磁记录介质的制造方法,其特征在于,在对所述磁性层部分地注入离子时,在所述磁性层的表面形成碳膜,通过图案化将所述碳膜的厚度部分地减薄后,通过减薄了该碳膜的部位对所述磁性层部分地注入离子。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法,其特征在于,所述磁特性的改性是通过所述磁性层的非磁性化或非晶化而进行的改性。

3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法,其特征在于,将所述碳膜部分地减薄了的部位的厚度为5~10nm的范围内。

4.根据权利要求1~3的任一项所述的磁记录介质的制造方法,其特征在于,在将所述碳膜图案化时,在所述碳膜的表面涂布抗蚀剂,使用表面具有凹凸形状的压印模,形成在表面转印了该凹凸形状的抗蚀剂后,将所述抗蚀剂的凹部及其下方的所述碳膜进行蚀刻。

5.根据权利要求4所述的磁记录介质的制造方法,其特征在于,对所述磁性层部分地注入离子后,除去所述抗蚀剂和所述碳膜。

6.根据权利要求1~5的任一项所述的磁记录介质的制造方法,其特征在于,所述注入的离子是含有选自N、O、Ar、Ne中的任一种以上的原子的离子。

7.一种磁记录再生装置,其特征在于,具备:

由权利要求1~6的任一项所述的制造方法制造的磁记录介质;

沿着记录方向驱动所述磁记录介质的介质驱动部;

进行对所述磁记录介质的记录动作和再生动作的磁头;

使所述磁头相对于磁记录介质相对移动的磁头移动单元;和

用于进行对所述磁头的信号输入和从所述磁头输出信号的再生的记录再生信号处理单元。

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