[发明专利]磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于硬盘装置等的磁记录介质的制造方法和具备采用这样的制造方法制造的磁记录介质的磁记录再生装置。

本申请基于在2009年12月21日在日本申请的专利申请2009-289519号要求优先权，将上述申请的内容援引到本申请中。

背景技术

近年，磁盘装置、软盘装置、磁带装置等的磁记录装置的适用范围在显著地扩大，磁记录装置重要性的增大，并且对用于这些装置的磁记录介质在谋求其记录密度的显著的提高。尤其是导入MR磁头和PRML技术以来，面记录密度的上升更加飞速地提高，近年又导入GMR磁头、TuMR磁头等，一年在以约1.5倍的速度(pace)继续增加。

对这些磁记录介质今后要求进一步实现高记录密度，为此要求实现磁记录层的高矫顽力化，高信噪比(SNR)、高分辨能力。另外，近年在提高线记录密度的同时通过磁道密度的增加来提高面记录密度的努力也在继续。

在最新的磁记录装置中，磁道密度已达到250kTPI。然而，若将磁道密度提高下去的话，则相邻的磁道间的磁记录信息相互干扰，其边界区域的磁化迁移区域成为噪声源，容易产生损害SNR的问题。这直接导致比特误码率(Bit Error rate)的恶化，因此对于记录密度的提高成为障碍。

为了提高面记录密度，必须使磁记录介质上的各记录比特的尺寸更加微细化，对各记录比特确保尽可能大的饱和磁化和磁性膜厚。然而，若将记录比特微细化下去的话，则每一比特的磁化最小体积变小，由于由热摆导致的磁化反转而产生记录数据消失的问题。

另外，由于磁道间距离接近，因此磁记录装置要求极高精度的磁道伺服技术，同时一般采用下述方法：宽幅地实行记录，在再生时为了尽量排除来自相邻磁道的影响而比记录时窄地实行。在该方法中，能够将磁道间的影响抑制在最小限度，但难以充分得到再生输出，因此存在难以确保充分的SNR的问题。

作为解决这样的热摆的问题，实现确保SNP和确保充分的输出的方法之一，曾进行了下述尝试：通过在磁记录介质的表面形成沿着磁道的凹凸图案，物理性地分离记录磁道彼此，来提高磁道密度。将这样的技术称作分离磁道法，将采用该方法制造的磁记录介质称作分离磁道介质。

作为分离磁道介质的一例，已知：在表面形成有凹凸图案的非磁性基板上形成磁记录层，形成物理性地分离的磁记录磁道和伺服信号图案从而构成的磁记录介质(例如，参照专利文献1)。

该磁记录介质，是在形成有多个凹凸图案的基板的表面介由软磁性层形成强磁性层，在该强磁性层上形成了保护层的磁记录介质。在该磁记录介质中，在凸部区域形成有与周围物理性地分隔的磁记录区域。根据该磁记录介质，能够抑制软磁性层中的磁畴壁发生，因此难以出现热摆的影响，也没有相邻的信号间的干扰，所以能够形成噪声少的高密度磁记录介质。

分离磁道法有：在形成包含好几层的薄膜的磁记录介质后形成磁道的方法；和在基板表面直接形成凹凸图案、或者在用于形成磁道的薄膜层上形成凹凸图案后，进行磁记录介质的薄膜形成的方法(例如，参照专利文献2和专利文献3)。

其中，前者的方法往往称作磁性层加工型，在介质形成后实施对表面的物理加工，因此存在介质在制造过程中容易被污染的缺点，并且制造工序非常复杂。

另一方面，后者的方法往往称作压花加工型，虽然制造过程中难以污染，但形成于基板上的凹凸形状也会被成膜出的膜继承，因此，存在一边在介质上浮起一边进行记录再生的记录再生磁头的浮起姿势、浮起高度不稳定的问题。

另外，也公开了通过对预先形成的磁性层注入氮离子或氧离子、或者照射激光来形成分离磁道介质的磁道间区域的方法(参照专利文献4)。然而，该专利文献4中没有在离子注入等时设置抗蚀剂和掩模等的记载，若不设置抗蚀剂和掩模等，则难以将离子注入只控制在磁道间区域等。

此外，还公开了：在每一比特具有一定的规则性地配置磁记录图案的所谓的图案介质的制造中，通过离子照射的蚀刻或者将磁性层非晶化来形成磁记录图案(参照非专利文献1和专利文献5)。

其中，专利文献5中记载了：在磁性层上的磁道间区域以外的区域设置掩模，进行离子等的照射，以及，作为离子注入的掩模使用有机抗蚀剂、金属、SiO₂等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-164692号公报

专利文献2：日本特开2004-178793号公报

专利文献3：日本特开2004-178794号公报

专利文献4：日本特开平5-205257号公报