[发明专利]向半导体晶片应用膜的设备和方法、处理半导体晶片的方法

权利要求书

1.一种向半导体晶片应用膜的方法，包括：

提供半导体晶片；

提供层压膜，所述层压膜包括干膜抗蚀剂以及与干膜抗蚀剂相邻设置的载体膜；

从层压膜切割下尺寸和形状适合半导体晶片的至少一个膜块；以及

将膜块应用至半导体晶片。

2.根据权利要求1的方法，其中通过冲压从层压膜切割下膜块。

3.根据权利要求1的方法，其中膜块是大体上圆形的。

4.根据权利要求1的方法，其中膜块具有与半导体晶片的直径对应的直径。

5.根据权利要求1的方法，其中使用真空夹具将膜块从层压膜移开。

6.根据权利要求1的方法，其中在将膜块从层压膜移开之后并在将膜块应用至半导体晶片之前，移除盖膜。

7.根据权利要求1的方法，其中通过施压将膜块应用到半导体晶片。

8.根据权利要求7的方法，还包括：在将膜块施压到半导体晶片上的同时施加热。

9.根据权利要求1的方法，其中半导体晶片具有从晶片的第一侧面突出的支撑外边缘，并且将膜块定位在半导体晶片第一侧面上支撑外边缘内。

10.根据权利要求9的方法，其中支撑外边缘限定第一侧面的区域，并且膜块具有与外边缘限定的晶片第一侧面的所述区域相适应的形式。

11.根据权利要求9的方法，其中支撑外边缘包括多个穿孔。

12.根据权利要求1的方法，还包括：

对干膜抗蚀剂进行光致结构化；

对半导体晶片的暴露部分进行结构化；以及

移除干膜抗蚀剂。

13.根据权利要求12的方法，其中通过以下操作对干膜抗蚀剂进行光致结构化：

向载体膜应用掩模；

将载体膜暴露于UV辐射；

移除载体膜；

对干膜抗蚀剂进行显影，以移除干膜抗蚀剂未暴露的部分；以及

进行结构化以移除未被干膜抗蚀剂覆盖的区域。

14.根据权利要求13的方法，其中在将载体膜暴露于UV辐射之前，通过移除载体膜，对干膜抗蚀剂进行进一步光致结构化。

15.一种半导体晶片，包括：

从半导体晶片的背面突出的支撑外边缘；以及

布置在半导体晶片背面上支撑外边缘内的干膜抗蚀剂。

16.根据权利要求15的半导体晶片，其中干膜抗蚀剂具有切割边沿。

17.根据权利要求15的半导体晶片，其中干膜抗蚀剂的至少一部分形成半导体芯片的整体的一部分。

18.根据权利要求17的半导体晶片，其中干膜抗蚀剂包括聚酰亚胺。

19.根据权利要求15的半导体晶片，还包括：凸块，位于放置在凸块安放区之上的干膜抗蚀剂上，所述凸块安放区与过孔相偏移。

20.根据权利要求15的半导体晶片，还包括：凸块，位于干膜抗蚀剂上并位于过孔之上。

21.根据权利要求15的半导体晶片，其中支撑外边缘包括多个穿孔。

22.根据权利要求15的半导体晶片，其中所述多个穿孔从支撑外边缘的内侧壁延伸到外侧壁。

23.一种将膜应用至半导体晶片的系统，半导体晶片包括从半导体晶片的背面突出的支撑外边缘，所述系统包括：

切割装置，适于从膜切割下膜块；

真空夹具，适于从膜移开切割下的膜块，真空夹具适于沿垂直于膜的主表面的方向移动，并且沿平行于膜的主表面的至少一个方向移动；以及

施压工具，适于将膜块施压到半导体晶片上。

24.根据权利要求23的系统，还包括：用于支撑膜的主表面的夹具。

25.根据权利要求23的系统，其中切割装置是冲压工具。

26.根据权利要求23的系统，其中真空夹具包括大体平坦的表面，该表面具有与从膜切割下的膜块的面积范围相适应的面积范围。