[发明专利]向半导体晶片应用膜的设备和方法、处理半导体晶片的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求2009年10月16日递交的题为“向半导体晶片应用膜的设备和方法、处理半导体晶片的方法”的新加坡专利申请no.SG200906937-8的优先权，其内容通过引用合并在此。

背景技术

半导体制造中经常使用光致抗蚀剂在半导体晶片上制造结构化层，例如重分布层。可以液体形式向半导体晶片上涂覆光致抗蚀剂，称为湿抗蚀剂。然后可以旋转晶片，使得晶片表面上的光致抗蚀剂层具有均匀厚度。备选地，可以干燥形式向半导体晶片上应用光致抗蚀剂，称为干膜抗蚀剂。干膜抗蚀剂通常以膜的形式提供，膜可以成卷地递送。典型地，以层压膜的形式提供干膜抗蚀剂，其中光致抗蚀剂膜夹在盖膜和载体膜之间。可以通过层压技术向例如印刷电路板等基板应用干膜抗蚀剂。

在一些情况下湿抗蚀剂可以与一些特性关联。例如，如果需要例如厚度超过50微米的厚抗蚀剂层作为晶片凸块形成工艺中随后可能用作凸块(bump)的合金的电化学沉积用模板，可以使用粘度低的湿抗蚀剂来生成该厚层。然而，以这种方式生成的层的厚度均匀性可能在一定程度上发生改变。相反，可以非常高的精确度，以50微米或更大的相对较大层厚度来生成干膜抗蚀剂。

湿抗蚀剂的另一方面在涂覆晶片表面时出现，晶片表面具有某种形貌，例如在微机电系统(MEMS)应用中经常出现的空腔。对于湿抗蚀剂，由于这种形貌的尖锐角落处的表面张力，可能无法实现对表面的均匀覆盖。然而，干膜具有一定的内部刚度，这可以允许干膜均匀覆盖这种形貌。

美国专利No.6,623,912讨论了一种方法，将干膜抗蚀剂从储存卷展开至拉紧卷。对两个辊子以及热压辊进行定位，使得膜在加热阶段接触半导体晶片。在通过应用热压辊在晶片上层压干抗蚀剂膜之后，使用切割激光将目前附着至晶片的那部分干抗蚀剂膜从卷上的干抗蚀剂膜整体分离开。

发明内容

本公开涉及向半导体晶片应用膜和处理半导体晶片的有关方法、设备和系统。

本公开的一些示例描述了半导体晶片。一些示例半导体晶片可以包括支撑外边缘和干膜抗蚀剂。该支撑外边缘可以从半导体晶片的背面突出。干膜抗蚀剂可以布置在半导体晶片的背面支撑外边缘内。

本公开的一些示例描述了一种向半导体晶片应用膜的系统。一些向半导体晶片应用膜的示例系统可以包括切割装置、真空夹具和施压工具。切割装置可以用于从膜上切割下膜块。真空夹具可以用于将膜块从膜移走，其中该夹具可以用于沿与膜的主表面垂直的方向和沿与膜的主表面平行的至少一个方向移动。施压工具可以用于将膜块按压到半导体上，其中半导体晶片可以包括从半导体晶片的背面突出的支撑外边缘。

本公开的一些示例描述了向半导体晶片应用膜的有关方法。一些示例方法可以包括提供半导体晶片。可以提供层压膜。层压膜可以包括干膜抗蚀剂以及可以与干膜抗蚀剂相邻设置的载体膜。可以从层压膜中切割掉至少一个膜块，膜块具有适合半导体晶片的尺寸和形状。可以将膜块涂覆至半导体晶片。

以上发明内容仅仅是说明性的，而绝不是限制性的。除了上述示例性的各方案、各实施例和各特征之外，参照附图和以下详细说明，将清楚其他方案、其他实施例和其他特征。

附图说明

主题内容在本说明书的结尾部分具体地指出且清楚地要求保护。根据以下说明和所附权利要求，结合附图，本公开的前述和其他特征将更加清楚。在认识到附图仅仅示出了根据本公开的一些实施例且因此不应被认为是限制本公开范围的前提下，通过使用附图以额外的特征和细节来详细描述本公开。

附图中：

图1示出了根据第一实施例的向半导体晶片应用膜的方法的顶视图和侧视图；

图2示出了包括干膜抗蚀剂的层压膜；

图3示出了包括干膜抗蚀剂层的半导体晶片；

图4示出了根据第二实施例向半导体晶片应用干膜抗蚀剂的装置和方法；

图5示出了图1的完成的半导体晶片2的横截面图；

图6示出了在去除干膜的载体膜工艺阶段图3的半导体晶片和去除工具；

图7示出了在去除干膜的载体膜工艺阶段去除干膜的载体膜的第一操作；

图8示出了在去除干膜的载体膜工艺阶段去除干膜的载体膜的第二操作；

图9示出了凸块形成工艺阶段的半导体晶片；

图10示出了凸块形成工艺阶段图9半导体晶片的过孔；

图11示出了凸块形成工艺阶段图10的过孔以及第一干膜；

图12示出了凸块形成工艺阶段图11的干膜以及过孔开口；