[发明专利]鳍型装置系统和方法

权利要求书

1.一种制造晶体管的方法，所述方法包括：

在具有表面的衬底内形成晶体管的栅极；

在所述衬底内形成内埋氧化物BOX层，所述BOX层在第一BOX层面处邻近于所述栅极；以及

形成凸起的源极-漏极通道(“鳍”)，其中所述鳍的至少一部分从所述衬底的所述表面延伸，且其中所述鳍具有邻近于所述BOX层的第二BOX层面的第一鳍面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅极经由所述BOX层电耦合到所述鳍。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅极可操作以电耦合到第一偏压源。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅极是底栅极，且所述方法进一步包括形成前栅极，所述前栅极在第二鳍面处电耦合到所述鳍。

5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括形成后栅极，所述后栅极在第三鳍面处电耦合到所述鳍。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述前栅极可操作以电耦合到第二偏压源，且其中所述后栅极可操作以电耦合到第三偏压源。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括形成顶栅极，其中所述顶栅极在第四鳍面处电耦合到所述鳍。

8.一种晶体管，其包括：

源极-漏极通道(“鳍”)，其从衬底的表面突出；以及

第一栅极，其在第一鳍面处电耦合到所述鳍，所述第一栅极通过位于所述衬底内的内埋氧化物BOX层与所述鳍分离。

9.根据权利要求8所述的晶体管，其进一步包括在第二鳍面处电耦合到所述鳍的第二栅极。

10.根据权利要求9所述的晶体管，其进一步包括在第三鳍面处电耦合到所述鳍的第三栅极。

11.根据权利要求10所述的晶体管，其中所述第一栅极、所述第二栅极和所述第三栅极可各自独立地加电偏压。

12.根据权利要求10所述的晶体管，其进一步包括在第四鳍面处电耦合到所述鳍的第四栅极。

13.根据权利要求8所述的晶体管，其中所述晶体管经配置以通过以下操作进行编程：将第一电偏压施加到所述第一栅极、将第二电偏压施加到所述第二栅极且将第三电偏压施加到所述第三栅极，且沿所述鳍的纵向轴线对所述鳍加电偏压。

14.根据权利要求13所述的晶体管，其中当对所述鳍加偏压时，多个空穴聚集于所述鳍中。

15.一种对位单元进行编程的方法，所述方法包括：

在第一写入偏压电压下对位单元的第一栅极加偏压，其中所述第一栅极在第一鳍面处电耦合到所述位单元的源极-漏极通道(“鳍”)，所述鳍具有源极端和漏极端且所述鳍从衬底突出，其中所述第一栅极通过位于所述衬底内的内埋氧化物BOX层与所述鳍分离；以及

在所述鳍的所述源极端与所述鳍的所述漏极端之间施加编程电压。

16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括在第二写入偏压电压下对耦合到所述鳍的第二栅极电偏压，其中所述第二栅极在第二鳍面处电耦合到所述鳍。

17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括在第三写入偏压电压下对耦合到所述鳍的第三栅极加电偏压，其中所述第三栅极在第三鳍面处电耦合到所述鳍。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一栅极、所述第二栅极和所述第三栅极可各自独立地加偏压。

19.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括在第四写入偏压电压下对耦合到所述鳍的第四栅极电偏压，其中所述第四栅极在第四鳍面处电耦合到所述鳍。

20.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括在预定时间段之后在第一保持偏压电压下对所述第一栅极加偏压，其中所述第一保持偏压电压不同于所述第一写入偏压电压。