[发明专利]鳍型装置系统和方法有效

专利信息
申请号: 201080047779.2 申请日: 2010-09-01
公开(公告)号: CN102576730A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 宋森秋;穆罕默德·哈桑·阿布-拉赫马;韩秉莫 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L21/336
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 装置 系统 方法
【说明书】:

技术领域

发明大体而言涉及鳍型装置。

背景技术

技术的进步已产生更小且更强大的计算装置。举例来说,当前存在多种便携式个人计算装置,包含无线计算装置,例如便携式无线电话、个人数字助理(PDA)和传呼装置,所述装置体积小、重量轻且易于由用户携带。更具体来说,便携式无线电话(例如,蜂窝式电话和因特网协议(IP)电话)可经由无线网络传达声音和数据包。另外,许多所述无线电话包含并入于其中的其它类型的装置。举例来说,无线电话还可包含数字照相机、数字摄像机、数字记录器和音频文件播放器。而且,所述无线电话可处理可执行指令,包含可用以对因特网进行存取的软件应用程序(例如,网页浏览器应用程序)。因而,这些无线电话可包含显著的计算能力。

鳍型场效应晶体管(本文中称为FinFET或FinFET晶体管)是包含从衬底突出的鳍形源极-漏极通道的场效应晶体管。所述FinFET晶体管可以是可用于便携式计算装置中的有效节省空间的有源元件。FinFET装置的一个用途是作为便携式计算装置中的存储器的部分。

发明内容

在特定实施例中,揭示一种制造晶体管的方法。所述方法包含:在具有表面的衬底内形成晶体管的栅极;以及在所述衬底内形成内埋氧化物(BOX)层。所述BOX层在第一BOX层面处邻近于所述栅极。所述方法还包含形成凸起的源极-漏极通道(“鳍”),使得所述鳍的至少一部分从所述衬底的所述表面延伸,其中所述鳍具有邻近于第二BOX层面的第一鳍面。

在另一特定实施例中,揭示一种晶体管,其包含从衬底的表面突出的源极-漏极通道(“鳍”)。所述晶体管包含第一栅极,所述第一栅极在第一鳍面处电耦合到所述鳍且通过位于所述衬底内的内埋氧化物(BOX)层与所述鳍分离。

在另一特定实施例中,揭示一种编程位单元的方法,所述方法包含在第一写入偏压电压下对位单元的第一栅极加偏压,其中所述第一栅极电耦合到位单元的源极-漏极通道(“鳍”)。所述鳍具有源极端和漏极端,且从衬底突出。第一栅极通过位于所述衬底内的内埋氧化物(BOX)层与所述鳍分离。所述方法还包含在所述鳍的所述源极端与所述鳍的所述漏极端之间施加编程电压。

由所揭示实施例中的至少一者提供的一个特定优点为,当利用所描述的FinFET晶体管作为存储器中的位单元时,控制通过BOX层与鳍分离的栅极处的偏压使得能够增大存储器刷新之间的时间周期,且功率消耗随之减小。

本发明的其它方面、优点和特征将在审阅包含以下部分的完整申请案之后变得显而易见:[附图说明]、[具体实施方式]和[权利要求书]。

附图说明

图1是可用于存储器装置的位单元中的FinFET晶体管的第一说明性实施例的图;

图2是可用于存储器装置的位单元中的FinFET晶体管的第二说明性实施例;

图3是可用于存储器装置的位单元中的FinFET晶体管的第三说明性实施例;

图4是根据特定实施例的处于未加偏压条件下的FinFET晶体管的能带图;

图5是根据特定实施例的FinFET晶体管的能带图,其说明WRITE阶段期间的第一栅极;

图6是根据特定实施例的FinFET晶体管的能带图,其说明在HOLD阶段期间对第一栅极加偏压;

图7是根据特定说明性实施例的在不同后栅极偏压电压下源极-漏极电流对时间的曲线图;

图8是利用FinFET的存储器的特定说明性实施例的图;

图9是制造晶体管的方法的特定说明性实施例的流程图;

图10是编程位单元的方法的特定说明性实施例的流程图;以及

图11是利用FinFET的电子装置的特定说明性实施例的框图。

具体实施方式

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