[发明专利]具有多个掺杂硅层的薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管制造方法，包含下述步骤：

沉积非晶硅层于基板上方，所述基板具有形成在其上的栅极电极与栅极介电层；

沉积两或多个掺杂硅层于所述非晶硅层上方，各掺杂硅层具有不同于其他掺杂硅层的至少一特性；

沉积金属层于所述两或多个掺杂硅层上方；

图案化所述金属层，以形成源极电极与漏极电极；

图案化所述两或多个掺杂硅层，以暴露所述非晶硅层；及

沉积钝化层于所述源极电极、所述漏极电极与所述暴露的非晶硅层上方。

2.如权利要求1所述的方法，其中沉积所述两或多个掺杂硅层的步骤包含下述步骤：

在第一沉积条件下，沉积第一掺杂硅层于所述非晶硅层上；及

在第二沉积条件下，沉积第二掺杂硅层于所述第一掺杂硅层上，所述第二沉积条件不同于所述第一沉积条件。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一掺杂硅层具有第一电阻率，并且所述第二掺杂硅层具有第二电阻率，所述第二电阻率低于所述第一电阻率，其中所述第一掺杂硅层的沉积速率大于所述第二掺杂硅层的沉积速率。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述第一掺杂硅层包含非晶硅，并且所述第二掺杂硅层包含微晶硅。

5.如权利要求2所述的方法，其中所述第一掺杂硅层与所述第二掺杂硅层皆包含非晶硅。

6.如权利要求2所述的方法，其中所述第一掺杂硅层和所述第二掺杂硅层使用第一方法或第二方法来沉积，其中：

所述第一方法包含：

所述第一沉积条件包含约至约的沉积速率、高达约30秒的沉积时间，以制造电阻率为约70Ωcm至约3000Ωcm的第一掺杂硅层；及

所述第二沉积条件包含约至约的沉积速率、约15秒至约3000秒的沉积时间，以制造电阻率为约10Ωcm至约70Ωcm的所述第二掺杂硅层；及

所述第二方法包含：

所述第一沉积条件包含约至约的沉积速率、约5秒至约10秒的沉积时间，以制造电阻率为约110Ωcm至约120Ωcm的第一掺杂硅层；及

所述第二沉积条件包含约至约的沉积速率、约10秒至约18秒的沉积时间，以制造电阻率为约30Ωcm至约40Ωcm的所述第二掺杂硅层。

7.如权利要求2所述的方法，其中所述第二沉积包含：

于约5000sccm至约20000sccm的流速引进硅烷气体、于高达约200000sccm的流速引进氢气、于约1000sccm至约200000sccm的流速引进在H2中的0.5％PH3、施加约500W至约15000W的RF功率到喷头、维持腔室压力于约1Torr至约5Torr以及喷头和基板之间间隔于约400mils至约1200mils；或者

于约5000sccm至约50000sccm的流速引进硅烷气体、于高达约150000sccm的流速引进氢气、于约1000sccm至约150000sccm的流速引进在H2中的0.5％PH₃、施加约10000W至约40000W的RF功率到喷头、维持腔室压力于约1Torr至约5Torr以及喷头和基板之间间隔于约400mils至约1200mils。

8.一种薄膜晶体管制造方法，包含下述步骤：

沉积非晶硅层于基板上方，所述基板具有形成在其上的栅极电极与栅极介电层；

以第一沉积速率沉积第一掺杂硅层于所述非晶硅层上，所述第一掺杂硅层具有第一电阻率；

沉积第二掺杂硅层于所述第一掺杂硅层上，所述第二掺杂硅层具有小于所述第一电阻率的第二电阻率，所述第二掺杂硅层是以小于所述第一沉积速率的第二沉积速率来沉积；

沉积金属层于所述第二掺杂硅层上方；

图案化所述金属层，以形成源极电极与漏极电极；

图案化所述第一掺杂硅层与所述第二掺杂硅层，以暴露所述非晶硅层；及

沉积钝化层于所述源极电极、所述漏极电极与所述暴露的非晶硅层上方。

9.如权利要求8所述的方法，还包含下述步骤：沉积第三掺杂硅层于所述第二掺杂硅层上，所述第三掺杂硅层具有小于所述第二电阻率的第三电阻率，所述第三掺杂硅层是以小于所述第二沉积速率的第三沉积速率来沉积。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述第一掺杂硅层包含非晶硅，并且所述第二掺杂硅层包含微晶硅。