[发明专利]蚀刻液组成物有效
申请号: | 201080049723.0 | 申请日: | 2010-10-12 |
公开(公告)号: | CN102753652A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 李昔准;慎蕙驘;权五柄;李喻珍 | 申请(专利权)人: | 东友FINE-CHEM股份有限公司 |
主分类号: | C09K13/08 | 分类号: | C09K13/08;C23F1/20;C23F1/30 |
代理公司: | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人: | 郑立;高为华 |
地址: | 韩国全*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 组成 | ||
技术领域
本发明涉及一种由铟系金属膜、铝-镧系合金膜及钛系金属膜组成的三重膜的蚀刻液组成物。
背景技术
在扁平面板表示装置中,在印刷电路板上形成金属配线的过程通常由通过溅射形成金属膜的工序、在金属膜上涂覆光致抗蚀剂,并使该光致抗蚀剂曝光及显影,以在挑选的范围内形成光致抗蚀剂的工序、及对金属膜进行蚀刻的工序构成。另外,还包括个别的在单位工序进行前或进行后进行的洗净工序等。这种蚀刻工序指的是将光致抗蚀剂作为掩膜使用,以在挑选的范围内留下金属膜的工序。对于蚀刻工序而言,通常使用的是运用等离子等的干蚀刻,或是运用蚀刻液的湿蚀刻。
一方面,在扁平面板表示装置中,作为像素电极,主要使用由铟系金属膜所组成的透明传导膜。另外,作为源-漏电极,主要使用铝-镧系合金膜,也就是Al-La-X(从X=Mg、Zn、In、Ca、Te、Sr、Cr、Co、Mo、Nb、Ta、W、Ni、Nd、Sn、Fe、Si、Mo、Pt及C中选择的金属)形态的铝合金膜。另外,在源-漏电极的下部,为了粘接源-漏电极与绝缘膜,作为粘接膜,主要使用含有钛的金属膜。
一直以来,为了对扁平面板表示装置的像素电极、源-漏电极及接着膜进行蚀刻,每个电极都必须使用不同的蚀刻液组成物。因此,蚀刻工序变得复杂,不经济。
发明内容
发明所要解决的课题
本发明的目的在于:提供一种能够高效地对铟系金属膜、铝-镧系合金膜及钛系金属膜所组成的三重膜一并进行蚀刻的蚀刻液组成物。
解决课题的方法
为了实现上述目的,本发明提供一种由铟系金属膜、铝-镧系合金膜及钛系金属膜所组成的三重膜的蚀刻液组成物,其特征在于,在该组成物的总重量中,包含:过氧化氢的重量占1%~15%、无机酸的重量占0.1%~10%、含氟化合物的重量占0.01%~5%和其余部分的水。
优选地,本发明提供一种由铟系金属膜、铝-镧系合金膜及钛系金属膜所组成的三重膜的蚀刻液组成物,其特征在于,在该组成物的总重量中,包含:过氧化氢的重量占2%~12%、无机酸的重量占1%~7%、含氟化合物的重量占0.1%~2%和其余部分的水。
发明的效果
本发明中的蚀刻液组成物,对铟系金属膜、铝-镧系合金膜、及钛系金属膜三者都有很好的蚀刻特性。另外,本发明中的蚀刻液组成物对铝-镧系合金膜有很好的蚀刻特性以使得Al-La系合金膜的上部卷曲等现象不会发生,因此,本发明中的蚀刻液组成物能够高效地对由铟系透明传导膜、铝-镧系合金膜及钛系金属膜所组成的三重膜一并进行蚀刻。另外,若使用本发明中的蚀刻液组成物,则会使蚀刻工序变得非常简单,从而使生产量能够大幅增加。
具体实施方式
以下,就本发明进行详细的说明。
本发明中的蚀刻液组成物,包含过氧化氢、无机酸、含氟化合物及水。
在本发明中,过氧化氢起主氧化剂的作用。在组成物的总重量中,所述过氧化氢的含有量,优选地,占重量的1%~15%;更优选地,占重量的2%~12%。若满足上述范围,则能够容易地使铟系金属膜、铝-镧系合金膜及钛系金属膜的表面氧化。
另外,在本发明中,无机酸起辅助氧化剂的作用。在组成物的总重量中,所述无机酸的含有量,优选地,占重量的0.1%~10%;更优选地,占重量的1%~7%。若满足上述范围,则能够与所述过氧化水一起使铟系金属膜、铝-镧系合金膜及钛系金属膜的表面更容易地被氧化。另外,还能使对蚀刻速度、侧面蚀刻及锥度角的调节变得容易。
所述无机酸,并不限定于此,优选地为从硝酸、硫酸及其组合中选择的一种。
在本发明中,含氟化合物起对铟系金属膜、铝-镧系合金膜、及钛系金属膜的表面进行蚀刻的作用。
所述含氟化合物,在组成物的总重量中,优选地,占重量的0.01%~5%,更优选地,占重量的0.1%~2%。若含有量在上述范围内,则能够容易且适量地对氧化的铟系金属膜、铝-镧系合金膜及钛系金属膜的表面进行蚀刻。
这时,所述含氟化合物,优选地,是在溶解状态能够分解成氟离子或多原子氟离子的化合物。例如,所述含氟化合物可以是从由氟化氨、氟化钠、氟化钾、重氟化氨、重氟化钠及重氟化钾所组成的群中选择的一种或两种以上。
本发明中的蚀刻液组成物中所含有的水是指去离子水。所述水如果使用在半导体工序中,优选地,要使用18MΩ/cm以上的水。对于组成物的总重量,所述水包含使本发明中的蚀刻液组成物的总重量到达100%的其余部分。
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