[发明专利]有机场致发光元件有效
申请号: | 201080056454.0 | 申请日: | 2010-12-21 |
公开(公告)号: | CN102939674B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 小川淳也;甲斐孝弘;山本敏浩;松本惠 | 申请(专利权)人: | 新日铁住金化学株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;C07D209/86;C07D209/88;C07D409/14;C09K11/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 贾成功 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 机场 发光 元件 | ||
1.一种有机场致发光元件,其为在基板上层叠阳极、多个有机层及阴极而成的有机场致发光元件,其特征在于,在咔唑环的1位及9位具有选自芳香族烃基及芳香族杂环基的芳香族基团作为取代基,该芳香族基团的至少一方具有由2环以上的环形成的缩环结构,所述有机场致发光元件具有有机层,所述有机层含有总碳数20~80的咔唑化合物作为磷光发光元件用材料。
2.根据权利要求1所述的有机场致发光元件,其中,咔唑化合物由通式(1)或(2)表示,
(通式(1)及(2)中,Ar分别独立地表示选自碳数6~24的芳香族烃基及碳数3~23的芳香族杂环基的芳香族基团,L表示选自碳数6~30的芳香族烃基及碳数3~30的芳香族杂环基的芳香族基团,R1~R3分别独立地表示氢、碳数1~10的烷基、碳数3~11的环烷基、碳数6~18的芳香族烃基或碳数3~17的芳香族杂环基,n表示1~3的整数;在n为2以上的情况下,多个的Ar及R1~R3可以分别相同或不同;其中,Ar及L中至少1个为由2环以上的环形成的缩环结构的芳香族基团。)
3.根据权利要求2所述的有机场致发光元件,其中,Ar及L两者或一方为由下述通式(3)表示的芳香族化合物产生的1价或n价的芳香族基团,
(其中,X1分别独立地表示CR4或氮,Y表示-O-、-S-或-NR5-,Z表示直接键合、-O-、-S-、-NR6-、-CR7R8-或由下述式(Z-1)表示的基团,R4~R8分别独立地表示氢、碳数1~10的烷基、碳数3~11的环烷基、碳数6~18的芳香族烃基或碳数3~17的芳香族杂环基;其中,上述芳香族基团在为Ar的情况下为1价的芳香族基团,在为L的情况下为n价的芳香族基团。)
4.根据权利要求3所述的有机场致发光元件,其中,在通式(3)中,Z为直接键合。
5.根据权利要求2所述的有机场致发光元件,其中Ar或L的一方为由下述通式(4)表示的芳香族化合物产生的1价或n价的芳香族基团,
(其中,X2分别独立地表示CR9或氮,R9~R12分别独立地表示氢、碳数1~10的烷基、碳数3~11的环烷基、碳数6~18的芳香族烃基或碳数3~17的芳香族杂环基,其中,上述芳香族基团在为Ar的情况下为1价的芳香族基团,在为L的情况下为n价的芳香族基团。)
6.根据权利要求1~5所述的有机场致发光元件,其中,含有咔唑化合物的有机层为选自由发光层、空穴传输层、电子传输层、及空穴阻挡层组成的组中的至少1个层。
7.根据权利要求6所述的有机场致发光元件,其中,含有咔唑化合物的有机层为含有磷光发光掺杂剂的发光层。
8.根据权利要求7所述的有机场致发光元件,其中,磷光发光掺杂剂的发光波长在550nm以下具有发光极大波长。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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