[发明专利]有机场致发光元件有效

专利信息
申请号: 201080056454.0 申请日: 2010-12-21
公开(公告)号: CN102939674B 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: 小川淳也;甲斐孝弘;山本敏浩;松本惠 申请(专利权)人: 新日铁住金化学株式会社
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;C07D209/86;C07D209/88;C07D409/14;C09K11/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 贾成功
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 机场 发光 元件
【权利要求书】:

1.一种有机场致发光元件,其为在基板上层叠阳极、多个有机层及阴极而成的有机场致发光元件,其特征在于,在咔唑环的1位及9位具有选自芳香族烃基及芳香族杂环基的芳香族基团作为取代基,该芳香族基团的至少一方具有由2环以上的环形成的缩环结构,所述有机场致发光元件具有有机层,所述有机层含有总碳数20~80的咔唑化合物作为磷光发光元件用材料。

2.根据权利要求1所述的有机场致发光元件,其中,咔唑化合物由通式(1)或(2)表示,

(通式(1)及(2)中,Ar分别独立地表示选自碳数6~24的芳香族烃基及碳数3~23的芳香族杂环基的芳香族基团,L表示选自碳数6~30的芳香族烃基及碳数3~30的芳香族杂环基的芳香族基团,R1~R3分别独立地表示氢、碳数1~10的烷基、碳数3~11的环烷基、碳数6~18的芳香族烃基或碳数3~17的芳香族杂环基,n表示1~3的整数;在n为2以上的情况下,多个的Ar及R1~R3可以分别相同或不同;其中,Ar及L中至少1个为由2环以上的环形成的缩环结构的芳香族基团。)

3.根据权利要求2所述的有机场致发光元件,其中,Ar及L两者或一方为由下述通式(3)表示的芳香族化合物产生的1价或n价的芳香族基团,

(其中,X1分别独立地表示CR4或氮,Y表示-O-、-S-或-NR5-,Z表示直接键合、-O-、-S-、-NR6-、-CR7R8-或由下述式(Z-1)表示的基团,R4~R8分别独立地表示氢、碳数1~10的烷基、碳数3~11的环烷基、碳数6~18的芳香族烃基或碳数3~17的芳香族杂环基;其中,上述芳香族基团在为Ar的情况下为1价的芳香族基团,在为L的情况下为n价的芳香族基团。)

4.根据权利要求3所述的有机场致发光元件,其中,在通式(3)中,Z为直接键合。

5.根据权利要求2所述的有机场致发光元件,其中Ar或L的一方为由下述通式(4)表示的芳香族化合物产生的1价或n价的芳香族基团,

(其中,X2分别独立地表示CR9或氮,R9~R12分别独立地表示氢、碳数1~10的烷基、碳数3~11的环烷基、碳数6~18的芳香族烃基或碳数3~17的芳香族杂环基,其中,上述芳香族基团在为Ar的情况下为1价的芳香族基团,在为L的情况下为n价的芳香族基团。)

6.根据权利要求1~5所述的有机场致发光元件,其中,含有咔唑化合物的有机层为选自由发光层、空穴传输层、电子传输层、及空穴阻挡层组成的组中的至少1个层。

7.根据权利要求6所述的有机场致发光元件,其中,含有咔唑化合物的有机层为含有磷光发光掺杂剂的发光层。

8.根据权利要求7所述的有机场致发光元件,其中,磷光发光掺杂剂的发光波长在550nm以下具有发光极大波长。

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