[发明专利]MOS器件中导通栅极触点

权利要求书

1.一种MOS器件，包括；

半导体基底，包括沟道；

电极，与沟道绝缘并且至少部分设置在沟道之上；和

至少一个通到电极的触点，所述至少一个触点至少部分设置在所述沟道之上。

2.如权利要求1所述的MOS器件，其特征在于，所述器件是晶体管，所述电极是晶体管的栅极。

3.如权利要求1所述的MOS器件，其特征在于，所述器件是变容二极管。

4.如上述权利要求中任一项所述的MOS器件，其特征在于，所述至少一个触点完全设置在沟道之上。

5.如上述权利要求中任一项所述的MOS器件，其特征在于，包括多个通到电极的触点。

6.如上述权利要求中任一项所述的MOS器件，其特征在于，所述触点中的至少一个是狭条触点。

7.如权利要求6所述的MOS器件，其特征在于，所述狭条触点仅沿着所述触点的长度的一部分连接到金属互连层。

8.如权利要求1至5中任一项所述的MOS器件，其特征在于，所述至少一个触点从源和漏触点到该器件侧向偏移。

9.如上述权利要求中任一项所述的MOS器件，其特征在于，所述至少一个触点延伸超过电极的周界。

10.一种用于如权利要求1至9中任一项所述的MOS器件的设计。

11.一种包括至少一个如权利要求1至9中任一项所述的MOS器件的集成电路。

12.一种包括至少一个如权利要求1至9中任一项所述的MOS器件的半导体晶片。

13.一种设计MOS器件的方法，包括以下步骤：

限定半导体基底中的沟道；

将电极限定成与沟道绝缘，并使电极至少部分设置在所述沟道之上；

限定到所述电极的至少一个触点，所述至少一个触点至少部分地设置在沟道之上。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括将描述设计的MOS器件的数据输出到数据载体上，用于控制MOS器件的制造。

15.一种存储表示MOS器件用于控制MOS器件的制造的数据的数据载体，其中，所述数据表示MOS器件，所述MOS器件包括半导体基底中的沟道、与所述沟道绝缘并至少部分设置在沟道之上的电极以及通到电极的至少一个触点，所述至少一个触点至少部分设置在沟道之上。

16.一种制造MOS器件的方法，包括以下步骤：

形成半导体基底中的沟道；

使电极形成为与沟道绝缘并且使电极至少部分设置在沟道之上；和

形成通到电极的至少一个触点，所述至少一个触点至少部分设置在沟道之上。

17.如权利要求16所述的制造MOS器件的方法，其特征在于，所述器件是晶体管，所述电极是晶体管的栅极。

18.如权利要求16所述的制造MOS器件的方法，其特征在于，所述器件是变容二极管。

19.如权利要求16至18中任一项所述的制造MOS器件的方法，其特征在于，所述至少一个触点完全设置在沟道之上。

20.如权利要求16至19中任一项所述的制造MOS器件的方法，其特征在于，所述器件包括多个通到电极的触点。

21.如权利要求16至20中任一项所述的制造MOS器件的方法，其特征在于，所述触点中的至少一个是狭条触点。

22.如权利要求21所述的制造MOS器件的方法，其特征在于，所述狭条触点仅沿着所述触点的长度的部分连接到金属互连层。

23.如权利要求16至20中任一项所述的制造MOS器件的方法，其特征在于，所述至少一个触点从源和漏触点到该器件侧向偏移。

24.如权利要求16至23中任一项所述的制造MOS器件的方法，其特征在于，所述至少一个触点延伸超过电极的周界。