[发明专利]平面光波电路以及平面光波电路的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种在平面基板上形成了光波导的平面光波电路及其制造方法。

背景技术

石英系光波导具有起因于应力双折射的偏振相关性，因此通过深深地蚀刻到光波导下方（过蚀刻，over-etch）而解除应力双折射来改善了偏振相关性（例如，参照专利文献1）。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2002-139640号公报

发明内容

（发明要解决的问题）

但是，光波导的应力双折射因图案的粗密不同而不同。例如，在如马赫曾德干涉仪（Mach-Zehnder interferometer,MZI）那样的稀疏图案和如阵列波导光栅（AWG）那样的稠密图案中，应力双折射不同。因此，在一个基板上具有多个干涉仪的平面光波电路的情况下，应力双折射因电路不同而不同，难以通过过蚀刻来同时地使全部的干涉仪偏振不相关化。

因此，本发明的目的在于提供一种能够减少电路的应力双折射差并通过过蚀刻同时地使全部的干涉仪偏振不相关化的平面光波电路及其制造方法。

（解决问题的方案）

为了达成上述目的，在本发明中为了消除因光波导密度不同导致的应力双折射差，在光波导密度小的光波导的两侧设置了虚拟图案（dummy pattern）。

具体地说，与本发明有关的平面光波电路具备：包含多个光波导的至少两个干涉仪；以及配置在所述干涉仪中具有比最大的光波导密度小的光波导密度的所述干涉仪的所述光波导的两侧的虚拟图案。

通过在光波导的两侧设置虚拟图案能够使应力双折射变化。因而，本发明能够提供一种平面光波电路，该平面光波电路能够通过在光波导密度小的光波导的两侧设置虚拟图案来减少电路的应力双折射差，并通过过蚀刻同时地使全部的干涉仪偏振不相关化。

与本发明有关的平面光波电路的所述虚拟图案的特征在于，是与所述干涉仪的所述光波导相同的材质。在形成光波导的工序中还能够形成虚拟图案，能够降低制造成本。

与本发明有关的平面光波电路的所述虚拟图案也可以是与具有最大的光波导密度的所述干涉仪大致相同的光波导密度。

与本发明有关的平面光波电路的制造方法具有：成膜工序，在基板上依次形成下部包覆层以及芯层；以及蚀刻工序，在所述成膜工序之后，当保留成为光波导的部分以及成为配置在所述光波导的两侧的虚拟图案的部分地对所述芯层进行蚀刻时，通过蚀刻去除的所述芯层下方的下部包覆层也在厚度方向上被去除了一部分。

能够由形成光波导的蚀刻工序在光波导密度小的光波导的两侧设置虚拟图案。因而，本发明能够提供一种能够减少电路的应力双折射差、并通过过蚀刻同时地使全部的干涉仪偏振不相关化的平面光波电路的制造方法。

（发明效果）

本发明能够提供一种能够减少电路的应力双折射差、并通过过蚀刻同时地使全部的干涉仪偏振不相关化的平面光波电路及其制造方法。

附图说明

图1是说明以往的平面光波电路的图。

图2是说明以往的平面光波电路的偏振相关性的图。

图3是说明与本发明有关的平面光波电路的图，（a）是说明平面光波电路的整体的图，（b）是放大了MZI部分的图。

图4是说明与本发明有关的平面光波电路的偏振相关性的图。

图5是说明与本发明有关的平面光波电路的图。

图6是说明间隙间隔与偏振相关性的关系的图。

图7是说明与本发明有关的平面光波电路的制造方法的图，（a）是成膜工序，（b）~（d）是蚀刻工序。

图8是说明与本发明有关的平面光波电路的图。

图9是说明与本发明有关的平面光波电路的图。

具体实施方式

参照附图说明本发明的实施方式。下面说明的实施方式是本发明的实施例，本发明不限于下面的实施方式。此外，在本说明书以及附图中符号相同的结构要素表示同一部分。

（实施方式1）