[发明专利]曝光装置有效
申请号: | 201080058060.9 | 申请日: | 2010-12-09 |
公开(公告)号: | CN102668025A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 水村通伸 | 申请(专利权)人: | 株式会社V技术 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张远 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 装置 | ||
1.一种曝光装置,其特征在于,具备:
光束点生成单元,其接受光源光并以规定间隔相互错开地至少排列成2列,从而生成多个光束点;
光扫描单元,其使上述多个光束点沿它们的排列方向在各自的规定范围内进行往返扫描;
图案产生器,其被配置为使上述多个光束点的往返扫描的中心各自与中心轴一致,且通过对多个开关元件进行接通/断开驱动,从而对上述光源光进行光调制来生成规定的明暗图案,其中,上述多个开关元件在与上述中心轴平行的对置面设置了一对电极,形状为方柱状,由电光晶体材料构成;和
投影透镜,其将上述明暗图案投影在被曝光体上,
使上述各开关元件在上述光束点的扫描方向的宽度比上述光束点在相同方向的宽度大。
2.根据权利要求1所述的曝光装置,其特征在于,
上述光束点生成单元是在平面内排列多个聚光透镜而成的微透镜阵列。
3.根据权利要求1所述的曝光装置,其特征在于,
上述光束点生成单元是在平面内排列多个开口而成的光掩模。
4.根据权利要求1所述的曝光装置,其特征在于,
上述光扫描单元,在方形块状的电光晶体材料的对置侧面使规定宽度的一对带状电极按照其长边中心轴与上述侧面的长宽中的任一方的中心轴呈规定角度的方式形成倾斜,并使光在该一对电极之间通过。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的曝光装置,其特征在于,
上述被曝光体被设置为沿着与上述光束点的扫描方向大致正交的方向连续地移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造