[发明专利]太阳能电池单元的制造方法无效
申请号: | 201080059615.1 | 申请日: | 2010-12-21 |
公开(公告)号: | CN102687284A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 桥本敬宏 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0216;C01G23/053 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;金世煜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 单元 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池单元的制造方法。
背景技术
近年来,特别从地球环境问题的观点考虑,将太阳光能直接转换成电能的太阳能电池单元作为下一代能源的期待急剧地增多起来。作为太阳能电池单元,有采用化合物半导体或者有机材料的电池单元等各种各样的种类,但现在主流的是采用硅晶体作为半导体基板的电池单元。
对于太阳能电池单元,利用pn接合分离由对半导体基板射入光而在半导体基板内部生成的电子和空穴,由此取得电流。在这样的太阳能电池单元中,通过使对半导体基板射入的光的反射率降低,能够使光电转换效率提高,因此进行在半导体基板的一个主面形成防反射膜。
例如,在专利文献1(日本特开昭53-146995号公报)中公开了通过将原钛酸正丁酯、乙酸以及乙醇混合而制成的涂布体组合物涂布在硅基板上并在空气中加热,由此在硅基板上形成由氧化钛薄膜构成的防反射膜的技术。
另外,在专利文献2(日本特开昭54-76629号公报)中公开以下技术:将乙醇、五氧化磷、钛酸异丙酯以及乙酸混合制成的涂布体组合物涂布在硅基板上并在大气中加热,由此在硅基板上形成含有磷作为杂质的氧化钛薄膜,之后,在氮环境中加热,由此使来自氧化钛薄膜的磷在硅基板上扩散,从而在硅基板上形成由氧化钛薄膜构成的防反射膜,并且在硅基板的内部形成pn接合。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开昭53-146995号公报
专利文献2:日本特开昭54-76629号公报
发明内容
但是,如上述的专利文献1和专利文献2所记载,在通过在硅基板上涂布溶液和加热来在硅基板上形成防反射膜时,在硅基板上形成的防反射膜白浊,存在损害太阳能电池单元的外观这个问题。
鉴于上述情况,本发明的目的在于,提供能够稳定地制造抑制防反射膜白浊而具有优异外观的太阳能电池单元的太阳能电池单元的制造方法。
本发明是一种太阳能电池单元的制造方法,包括在半导体基板的一个主面上涂布含有金属氧化物和金属氧化物前体中的至少一者的防反射膜形成用溶液的工序、和对涂布有防反射膜形成用溶液的半导体基板进行加热的工序,在涂布防反射膜形成用溶液的工序中,防反射膜形成用溶液在水含量为0g/m3~9.4g/m3的环境下涂布。
在此,在本发明的太阳能电池单元的制造方法中,防反射膜形成用溶液优选含有用于在半导体基板上形成pn接合的掺杂剂。
而且,在本发明的太阳能电池单元的制造方法中,防反射膜形成用溶液优选含有用于在半导体基板上形成n型掺杂剂扩散层的掺杂剂。
而且,在本发明的太阳能电池单元的制造方法中,在涂布防反射膜形成用溶液的工序中,优选在含有干燥气体的环境下涂布防反射膜形成用溶液。
而且,在本发明的太阳能电池单元的制造方法中,优选一边向环境中导入干燥气体一边涂布防反射膜形成用溶液。
而且,在本发明的太阳能电池单元的制造方法中,干燥气体优选含有选自氧、氮、氦、氖、氩、氪、氙以及氡中的至少1种。
而且,在本发明的太阳能电池单元的制造方法中,防反射膜形成用溶液优选为含有烷氧基钛的溶液。
根据本发明,能够提供可以稳定地制造抑制防反射膜的白浊而具有优异外观的太阳能电池单元的太阳能电池单元的制造方法。
附图说明
图1是对本发明的太阳能电池单元的制造方法的一例的制造工序的一部分进行图解的模式截面图。
图2是对本发明的太阳能电池单元的制造方法的一例的制造工序的一部分进行图解的模式截面图。
图3是对涂布防反射膜形成用溶液的工序的一例进行图解的模式图。
图4是对涂布防反射膜形成用溶液的工序的一例进行图解的模式图。
图5是对涂布防反射膜形成用溶液的工序的一例进行图解的模式图。
图6是对本发明的太阳能电池单元的制造方法的一例的制造工序的一部分进行图解的模式截面图。
图7是对本发明的太阳能电池单元的制造方法的一例的制造工序的一部分进行图解的模式截面图。
图8是采用本发明的太阳能电池单元的制造方法的一例制造的太阳能电池单元的一例的模式截面图。
图9是刚旋涂涂布实施例1中的防反射膜形成用溶液之后p型多晶硅基板主面的照片。
图10是刚旋涂涂布实施例2中的防反射膜形成用溶液之后p型多晶硅基板主面的照片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的