[发明专利]化学气相沉积设备有效
申请号: | 201080063854.4 | 申请日: | 2010-07-16 |
公开(公告)号: | CN102804340A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 洪性在;韩锡万;陈周;郑镇烈 | 申请(专利权)人: | 丽佳达普株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;林锦辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 沉积 设备 | ||
1.一种化学气相沉积设备,包括:
多个反应腔,被配置为通过闸门使衬底进入所述反应腔中并且对装载到所述反应腔中的衬底支撑件的上表面上的所述衬底进行处理;
缓冲腔,被配置为与所述多个反应腔耦接并且当所述衬底从所述多个反应腔中的任意一个中被取出,然后被送入所述多个反应腔中的另一个反应腔时,使得所述衬底穿过所述缓冲腔;
加热器,设置在所述多个反应腔或所述缓冲腔中;
气体供应装置,被配置为向所述多个反应腔供应处理气体;
第一方向传输单元,被配置为将上面装载有所述衬底的板从所述反应腔传输到所述缓冲腔或从所述缓冲腔传输到所述反应腔;以及
第二方向传输单元,被配置为将放置在所述多个反应腔中的任意一个的闸门前面的所述板或所述衬底传输到所述多个反应腔中的另一个的闸门。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备,其中,所述多个反应腔布置为一排。
3.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备,其中,所述第一方向传输单元包括致动器单元,所述致动器单元位于所述缓冲腔之外并且被配置为将所述板从所述反应腔传输到所述缓冲腔或从所述缓冲腔传输到所述反应腔。
4.根据权利要求3所述的化学气相沉积设备,其中:
所述致动器单元包括与所述反应腔的数量相等的多个致动器,并且
所述板与每个所述致动器耦接。
5.根据权利要求4所述的化学气相沉积设备,其中,所述第二方向传输单元包括位于所述缓冲腔之内或之外的机器人臂,从而将装载到多个所述板中的任意一个上的衬底传输到多个所述板中的另一个。
6.根据权利要求4所述的化学气相沉积设备,
其中,所述板与所述致动器可拆卸地耦接,并且
进一步包括输送机单元,该输送机单元被配置为将位于所述多个反应腔中的任意一个的闸门前面并且与所述致动器分离的所述板传输到所述多个反应腔中的另一个的闸门。
7.根据权利要求3所述的化学气相沉积设备,其中,所述第二方向传输单元进一步包括用于传输所述致动器单元的致动器传输单元,从而将位于所述多个反应腔中的任意一个的闸门前面的所述板放置在所述多个反应腔中的另一个的闸门前面。
8.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备,其中,所述第一方向传输单元包括位于所述缓冲腔中并且与所述板耦接的辊单元,以便将所述板从所述反应腔传输到所述缓冲腔或从所述缓冲腔传输到所述反应腔。
9.根据权利要求3所述的化学气相沉积设备,其中,所述第二方向传输单元包括机器人臂,该机器人臂位于所述缓冲腔之外并且被配置为抓住被装载到位于所述多个反应腔中任意一个的闸门前面的板上的所述衬底,并且将所述衬底传输到位于所述多个反应腔中的另一个的闸门之前的板。
10.根据权利要求9所述的化学气相沉积设备,其中,所述第二方向传输单元进一步包括位于所述缓冲腔之外的机器人臂传输轨,从而滑动和传输所述机器人臂。
11.根据权利要求9所述的化学气相沉积设备,其中,所述第二方向传输单元进一步包括位于所述缓冲腔之外的机器人臂传输轨,从而滑动和传输所述机器人臂。
12.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备,其中,将多个所述衬底装载到基座上,并且将所述基座装载到所述板上,从而传输多个所述衬底。
13.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备,进一步包括升降单元,所述升降单元位于所述反应腔内或所述缓冲腔内并且被配置为抬升所述衬底,从而将所述衬底装载到所述板上。
14.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备,其中,所述处理气体包括III族元素和V族元素。
15.根据权利要求14所述的化学气相沉积设备,其中,所述III族元素包括铝(Al)、镓(Ga)和铟(In)中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造