[发明专利]化学气相沉积设备有效
申请号: | 201080063854.4 | 申请日: | 2010-07-16 |
公开(公告)号: | CN102804340A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 洪性在;韩锡万;陈周;郑镇烈 | 申请(专利权)人: | 丽佳达普株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;林锦辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 沉积 设备 | ||
技术领域
本发明涉及一种衬底处理设备,更具体地,涉及一种化学气相沉积设备。
背景技术
一般而言,发光二极管(LED)具有顺序地层叠n型层、有源层和p型层的结构。形成n型层、有源层和p型层的方法之一是金属有机化学气相沉积法。金属有机化学气相沉积法是朝向被加热的衬底喷射金属有机化合物气体并在所述被加热的衬底表面上发生化学反应从而在所述衬底表面上形成所需薄膜的方法。
对于传统的金属有机化学气相沉积法,在一个反应腔中执行形成n型层、有源层和p型层的所有步骤。然而,此方法的问题在于沉积过程需要花费太多的时间。
此问题的原因在于,由于在沉积各个层的步骤中所需温度和所需气氛不同,因此在温度升高或降低到所需温度期间或者在控制所需气氛期间,各个步骤必须暂停和等待。
此问题的另一个原因在于,在完成某一过程之后必须清理腔室内部并且在清理步骤中整个制造过程被暂停。
发明内容
技术问题
在衬底上形成薄膜的过程中,需要一种能够提高过程效率并形成高质量薄膜的衬底处理方法。
本发明的技术目的不限于上述目的,并且从以下描述中,以上还未描述其它技术目的对于本领域技术人员来说将变得显然。
技术方案
用于达到以上目的的根据本发明的化学气相沉积设备,包括:多个反应腔,被配置为通过闸门使衬底进入所述反应腔中并且对装载到所述反应腔中的衬底支撑件的上表面上的所述衬底进行处理;缓冲腔,被配置为与所述多个反应腔耦接并且当所述衬底从所述多个反应腔中的任意一个中被取出,然后被送入所述多个反应腔中的另一个反应腔时,使得所述衬底穿过所述缓冲腔;加热器,设置在所述多个反应腔或所述缓冲腔中;气体供应装置,被配置为向所述多个反应腔供应处理气体;第一方向传输单元,被配置为将上面装载有所述衬底的板从所述反应腔传输到所述缓冲腔或从所述缓冲腔传输到所述反应腔;以及第二方向传输单元,被配置为将放置在所述多个反应腔中的任意一个的闸门前面的所述板或所述衬底传输到所述多个反应腔中的另一个的闸门。
此外,所述多个反应腔可以布置为一排。
此外,所述第一方向传输单元可以包括致动器单元,所述致动器单元位于所述缓冲腔之外并且被配置为将所述板从所述反应腔传输到所述缓冲腔或从所述缓冲腔传输到所述反应腔。
此外,所述致动器单元可以包括与所述反应腔的数量相等的多个致动器,并且所述板可以与每个所述致动器耦接。
此外,所述第二方向传输单元可以包括位于所述缓冲腔之内或之外的机器人臂,从而将装载到多个所述板中的任意一个上的衬底传输到多个所述板中的另一个。
此外,所述板可以包括输送机单元,该输送机单元与所述致动器可拆卸地耦接并且被配置为将位于所述多个反应腔中的任意一个的闸门前面并且与所述致动器分离的所述板传输到所述多个反应腔中的另一个的闸门。
此外,所述第二方向传输单元可以进一步包括用于传输所述致动器单元的致动器传输单元,从而将位于所述多个反应腔中的任意一个的闸门前面的所述板放置在所述多个反应腔中的另一个的闸门之前。
此外,所述第一方向传输单元可以包括位于所述缓冲腔中并且与所述板耦接的辊单元,以便将所述板从所述反应腔传输到所述缓冲腔或从所述缓冲腔传输到所述反应腔。
此外,所述第二方向传输单元可以包括机器人臂,该机器人臂位于所述缓冲腔之外并且被配置为抓住被装载到位于所述多个反应腔中任意一个的闸门前面的板上的所述衬底,并且将所述衬底传输到位于所述多个反应腔中的另一个的闸门前面的板。
此外,所述第二方向传输单元可以进一步包括位于所述缓冲腔之外的机器人臂传输轨,从而滑动和传输所述机器人臂。
此外,所述第二方向传输单元可以进一步包括位于所述缓冲腔之外的机器人臂传输轨,从而滑动和传输所述机器人臂。
此外,可以将多个所述衬底装载到基座上,并且可以将所述基座装载到所述板上,从而传输多个所述衬底。
此外,可以进一步包括升降单元,所述升降单元位于所述反应腔内或所述缓冲腔内并且被配置为抬升所述衬底,从而将所述衬底装载到所述板上。
此外,所述处理气体可以包括III族元素和V族元素。
此外,所述III族元素可以包括铝(Al)、镓(Ga)和铟(In)中的至少一种。
有益效果
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造