[发明专利]具有在读取操作期间的交叉耦合补偿的快闪存储器系统

权利要求书

1.一种用于读取存储器系统的存储器晶片中的被寻址存储器单元的方法，该方法包括：

将至少两个不同的电压电平施加到存储器单元的阵列中的存储器单元的控制栅极，其中该存储器单元与被寻址存储器单元相邻并与之进行电场通信；

在该至少两个不同的施加电压电平的每个处测量被寻址存储器单元的阈值电压；

将被寻址存储器单元的测量的阈值电压中的至少两个转换为一个或多个位值，其中所述将至少两个测量的电压转换为位值的转换在存储器晶片之外进行；以及

将所述一个或多个位值提供给该存储器系统的主机。

2.如权利要求1的方法，其中转换测量的阈值电压中的至少两个包括：

将被寻址存储器单元的测量的阈值电压中的至少两个转换为被寻址存储器单元的调整后的阈值电压；以及

将该调整后的阈值电压转换为一个或多个位值。

3.如权利要求1的方法，其中该相邻存储器单元具有在该至少两个不同的电压电平的施加期间基本保持不变的阈值电压。

4.如权利要求1的方法，还包括在该至少两个不同的电压电平的施加期间将一个或多个数据位存储在该相邻存储器单元中。

5.如权利要求2的方法，其中所述将被寻址存储器单元的测量的阈值电压中的至少两个转换为调整后的阈值电压值包括：

计算在两个不同的施加电压电平处测量的阈值电压之间的差；

使用该差计算被寻址存储器单元的调整后的阈值电压值。

6.如权利要求5的方法，还包括计算交叉耦合系数，其中所述计算被寻址存储器单元的调整后的阈值电压值还使用该交叉耦合系数。

7.如权利要求1的方法，其中所述将被寻址存储器单元的测量的阈值电压中的至少两个转换为一个或多个位值包括：

计算该存储器单元的阵列的多个存储器单元的每个的交叉耦合系数，其中给定存储器单元的交叉耦合系数对应于在施加到与该给定单元相邻并与之进行电场通信的存储器单元的两个不同的电压电平处测量的该给定存储器单元的阈值电压之间的差；

使用该存储器单元的阵列的所述多个存储器单元的测量的交叉耦合系数来确定该存储器单元的阵列的所述多个存储器单元的平均交叉耦合系数；

对于被寻址存储器单元，计算与在施加到与该被寻址单元相邻并与之进行电场通信的存储器单元的两个不同的电压电平处测量的阈值电压之间的差对应的具体交叉耦合系数；

比较该平均交叉耦合系数和该具体交叉耦合系数以确定校正因子；以及

使用该校正因子产生所述一个或多个位值。

8.一种用于读取存储器系统的存储器晶片中的被寻址存储器单元的方法，包括：

确定所述存储器单元的阵列的多个目标存储器单元的参考电压差；

将至少两个不同的电压电平施加到与被寻址存储器单元进行电场通信的相邻存储器单元的控制栅极；

在至少两个不同的施加电压电平的每个处测量被寻址存储器单元的阈值电压；

计算在施加到所述相邻存储器单元的两个不同电压电平处测量的被寻址存储器单元的阈值电压之间的具体电压差；

使用该具体电压差将被寻址存储器单元的测量的阈值电压的至少一个转换为一个或多个位值，其中该转换依赖于该具体电压差和该参考电压差之间的差；以及

将所述一个或多个位值提供给该存储器系统的主机系统。

9.如权利要求8的方法，其中将被寻址存储器单元的测量的阈值电压的至少一个转换为一个或多个位值包括当该具体电压差和该参考电压差之间的差大于第一量值但小于第二量值时使用第一计算规则，以及当该具体电压差和该参考电压差之间的差大于该第二量值时使用不同于该第一计算规则的第二计算规则。