[发明专利]具有在读取操作期间的交叉耦合补偿的快闪存储器系统

说明书

技术领域

本申请一般涉及快闪存储器系统，且更具体地，涉及降低在对被寻址存储器单元的读取期间的交叉耦合影响。

背景技术

快闪设备由于交叉耦合影响可能呈现读取错误。交叉耦合影响可能由与被读取的被寻址单元进行电场通信的相邻单元的浮置栅极之间的耦合引起。可能在在不同时间被编程的相邻存储器单元的集合之间出现浮置栅极与浮置栅极耦合现象。例如，第一存储器单元可以被编程以将一定水平的电荷添加到与一个或多个位值对应的其浮置栅极。随后，一个或多个相邻存储器单元可以被编程以将一定水平的电荷添加到与一个或多个位值对应的其浮置栅极。在相邻存储器单元中的一个或多个被编程之后，由于相邻存储器单元上的电荷对第一存储器单元具有的交叉耦合影响，因此从第一存储器单元读取的电荷水平可能看起来与原始被编程的不同。这样，来自相邻存储器单元的交叉耦合可能偏移从第一存储器单元读取的显式（apparent）电荷水平。此偏移可能导致对存储在第一存储器单元中的数据的错误读取。

当读取被寻址存储器单元的状态时，可以进行对于被寻址存储器单元以及其相邻单元中的一个或多个之间的交叉耦合的补偿。现有方法是基于根据相邻单元的读取电压和由于来自相邻单元的交叉耦合影响而预期的电压偏移的、对被寻址单元的读取电压（或者其存储的位的估计）的校正。这些预期的电压偏移是基于对于具有相同的相对位置的所有对的相邻和被寻址单元所取得的平均交叉耦合系数。此方法的问题是，由于快闪阵列的制造工艺的变化，在不同对之间的交叉耦合系数中存在变化。这些变化导致基于该平均值的这种交叉耦合补偿技术的准确性下降。随着制造工艺减少快闪存储器设备的尺寸，这些不规则的差异可能增加。

发明内容

一种用于读取存储器系统的存储器晶片中的被寻址单元的方法包括：将至少两个不同的电压电平施加到存储器单元的阵列中的存储器单元的控制栅极，其中该存储器单元与被寻址存储器单元相邻并与之进行电场通信。在该至少两个不同的施加电压电平的每个处测量被寻址存储器单元的阈值电压。将被寻址存储器单元的测量的阈值电压中的至少两个转换为存储在被寻址存储器单元中的一个或多个位值，其中所述转换所述至少两个测量的电压的转换在存储器晶片之外进行。将该位值提供给该存储器系统的主机。还公开了实现该方法的装置。

根据另一方面，公开了一种用于读取存储器系统的存储器晶片中的被寻址存储器单元的方法。该方法包括：确定存储器单元的阵列的多个目标存储器单元的参考电压差。将至少两个不同的电压电平施加到与被寻址存储器单元相邻并与之进行电场通信的相邻存储器单元的控制栅极。在至少两个不同的施加电压电平的每个处测量被寻址存储器单元的阈值电压。该方法还包括计算在施加到相邻存储器单元的不同电压电平的两个处测量的被寻址存储器单元的阈值电压之间的具体电压差。使用该具体电压差将被寻址存储器单元的测量的阈值电压的至少一个转换为一个或多个位值，其中该转换依赖于该具体电压差和该参考电压差之间的差。将所述一个或多个位值提供给该存储器系统的主机系统。

在查阅以下附图和详细描述之后，其他系统、方法、特征和优点将是或者将变得对本领域技术人员显而易见。意图所有这种另外的系统、方法、特征和优点都被包括在此描述中、在本发明的范围内、并且由以下权利要求保护。

附图说明

附图中的组件不是一定按比例，而是将重点放在例示本发明的原理上。此外，在附图中，具有相同值的参考标记在不同视图中通篇指示相应的部分。

图1是存储器系统的框图。

图2是可以用在图1的存储器系统中的大容量存储器存储系统的一个例子的框图。

图3A是单个浮置栅极存储器单元的截面图。

图3B是存储器单元阵列的多个浮置栅极存储器单元的框图。

图4示出可以用于从图3所示的阵列的被寻址存储器单元提取位值的操作。

图5示出在被寻址存储器单元以及一个或多个相邻存储器单元之间存在交叉耦合影响时测量被寻址单元的阈值的替换和/或补充方式。

图6示出将具体交叉耦合系数与平均交叉耦合系数比较以计算被寻址存储器单元中的位值的操作。

图7示出可以用于在计算在存储器阵列中处于相同的相对位置的被寻址存储器单元中存储的数据的位值的同时补偿交叉耦合影响的存在的操作。

图8是已经在逻辑上被划分为多个区域以示出存储器阵列的不同区域中的被寻址且相邻的存储器单元之间的相对位置的存储器阵列的一部分的框图。

具体实施方式