[发明专利]用于将IC晶粒或晶片接合到TSV晶片的双载体

权利要求书

1.一种形成堆叠电子制品的方法，包含：

使用具有第一脱粘温度的第一粘合材料，将第一载体晶片安装到贯穿衬底通孔（TSV）晶片的顶侧，所述TSV晶片包括TSV晶粒；

使所述TSV晶片从所述TSV晶片的底侧变薄，从而形成变薄TSV晶片，其中所述变薄包括在所述TSV晶片上暴露嵌入的TSV尖端，从而形成暴露的TSV尖端；

使用第二粘合材料将第二载体晶片安装到所述底侧，其中所述第二粘合材料具有高于所述第一脱粘温度的第二脱粘温度；

将所述变薄TSV晶片加热到高于所述第一脱粘温度的温度，从而从所述变薄TSV晶片移除所述第一载体晶片；以及

将至少一个第二IC晶粒结合到在所述变薄TSV晶片的所述顶侧上的所述TSV晶粒，从而形成包含电子制品的堆叠TSV晶片。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一粘合材料和所述第二粘合材料都包含热塑性塑料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述暴露的TSV尖端是从所述变薄TSV晶片的底侧突出至少5μm的突出TSV尖端。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包含在所述第二IC晶粒和所述TSV晶片的所述顶侧之间提供可固化介电膜即CDF；并且其中所述结合所述第二IC晶粒包含热压工艺，所述热压工艺在单个工艺步骤中提供压缩模塑从而从所述CDF形成底部填充，并提供接合以结合所述第二IC晶粒从而形成所述包含电子制品的堆叠TSV晶片。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述包含电子制品的堆叠TSV晶片进一步包含在所述第二IC晶粒的所述结合之后，用底部填充材料或不导电胶进行底部填充。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述结合所述第二IC晶粒包含倒装结合。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二IC晶粒包含多个TSV，并且其中所述结合所述第二IC晶粒包含所述第二IC晶粒的面向上结合。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包含：

从所述包含电子制品的堆叠TSV晶片移除所述第二载体晶片；以及

将所述包含电子制品的堆叠TSV晶片锯切，从而形成多个单个化的堆叠IC晶粒。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包含：

将所述多个单个化的堆叠IC晶粒的至少一个结合到在其上具有平面焊盘的封装衬底，以及

用底部填充材料或不导电胶进行毛细管底部填充。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述暴露的TSV尖端是从所述变薄TSV晶片的所述底侧突出至少5μm的突出TSV尖端，所述方法进一步包含：

在所述锯切之前在所述突出TSV尖端上提供可固化介电膜即CDF，

在其上具有平面焊盘的封装衬底上放置所述多个单个化的堆叠IC晶粒的至少一个，以及

包含热压工艺的结合，所述热压工艺在单个工艺步骤中提供压缩模塑从而从所述CDF形成底部填充，并提供接合从而将所述单个化的堆叠IC晶粒的所述突出TSV尖端结合到所述封装衬底的所述平面焊盘。

11.根据权利要求1所述的方法，进一步包含：

形成模具层，包含在所述结合所述第二IC晶粒之后将模具材料二次模塑，从而覆盖所述第二IC晶粒；

从所述包含电子制品的堆叠TSV晶片移除所述第二载体晶片，以及

将所述包含电子制品的堆叠TSV晶片锯切，从而形成多个单个化的堆叠IC晶粒。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包含将所述多个单个化的堆叠IC晶粒的至少一个结合到在其上具有平面焊盘的封装衬底，以及然后用底部填充材料或不导电胶进行毛细管底部填充。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述暴露的TSV尖端是从所述变薄TSV晶片的所述底侧突出至少5μm的突出TSV尖端，所述方法进一步包含：

在所述晶片锯切之前在所述突出TSV尖端上提供可固化介电膜即CDF，

在其上具有平面焊盘的封装衬底上放置所述多个单个化的堆叠IC晶粒的至少一个，以及

包含热压工艺的第二结合，所述热压工艺在单个工艺步骤中提供压缩模塑从而从所述CDF形成底部填充，并提供接合从而将所述突出TSV尖端结合到封装衬底的所述平面焊盘。