[发明专利]III族氮化物半导体激光器元件的制作方法

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体激光器元件的制作方法，其包括如下步骤：

形成具有激光器构造体的基板产物，该激光器构造体含有由六方晶系III族氮化物半导体构成且具有半极性主面的基板以及形成于上述半极性主面上的半导体区域；

对上述基板产物的第1面刻划，在上述第1面上形成沿着表示上述六方晶系III族氮化物半导体的a轴方向的基准线延伸的刻划标记；

在形成上述刻划标记后，将上述基板产物设置于致断装置，利用上述致断装置的第1及第2支撑部分别支撑上述基板产物的第1及第2区域；以及

不支撑位于上述第1及第2区域之间的上述基板产物的第3区域，对准该第3区域的上述刻划标记进行按压，从而进行上述基板产物的分离，形成另一基板产物及激光条，

上述基板产物的上述第3区域与上述第1及第2区域相邻，

上述按压在上述基板产物的第2面进行，

上述第1的支撑部的第1边缘与上述第2支撑部的第2边缘分离，

上述基板产物以使上述基准线从规定上述第1边缘与上述第2边缘之间的中心的中心线分离的方式设置于支撑装置上，

上述第1面为上述第2面的相反侧的面，

上述半导体区域位于上述第1面与上述基板之间，

上述激光条具有自上述第1面延伸至上述第2面并通过上述分离而形成的第1及第2端面，

上述第1及第2端面构成该III族氮化物半导体激光器元件的激光谐振器，

上述基板产物含有设置于上述激光器构造体上的阳极电极及阴极电极，

上述半导体区域含有由第1导电型的氮化镓系半导体构成的第1包覆层、由第2导电型的氮化镓系半导体构成的第2包覆层以及设置于上述第1包覆层与上述第2包覆层之间的活性层，

上述第1包覆层、上述第2包覆层及上述活性层沿着上述半极性主面的法线轴排列，

上述基板的上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴相对于上述半极性主面的法线轴向上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴方向以角度ALPHA倾斜，

上述第1及第2端面与由上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴及上述半极性主面的法线轴规定的m-n面交叉。

2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法，其中，上述角度ALPHA为45度以上80度以下或100度以上135度以下的范围。

3.如权利要求1或2所述的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法，其中，在将上述基板产物设置于上述致断装置上时，上述基准线与上述中心线的间隔为100μm以上。

4.如权利要求1至3中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法，其中，在上述第1面上，上述基准线与上述中心线的间隔为200μm以上400μm以下的范围。

5.如权利要求1至4中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法，其中，上述第1边缘与上述第2边缘的间隔为1000μm以上1500μm以下的范围。

6.如权利要求1至5中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法，其中，上述刻划标记沿着由上述半极性主面的法线轴与上述a轴方向所规定的a-n面，自上述第1面向上述第2面的方向延伸。

7.如权利要求1至6中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法，其中，

在形成上述基板产物的上述步骤中，对上述基板实施加工以使上述基板的厚度成为50μm以上，

上述加工为切片或研磨，

上述第2面为通过上述加工而形成的加工面、或含有形成于上述加工面上的电极的面。

8.如权利要求1至7中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法，其中，

上述刻划使用激光刻划器而进行，

上述刻划标记含有刻划槽，

上述刻划槽沿着由上述半极性主面的法线轴与上述a轴方向所规定的a-n面，自上述第1面向上述第2面的方向延伸。

9.如权利要求1至8中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法，其中，上述半极性主面自{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面及{10-1-1}面中的任一半极性面向m面方向具有-4度以上+4度以下的范围的倾斜。