[发明专利]III族氮化物半导体激光器元件的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种III族氮化物半导体激光器元件的制作方法。

背景技术

非专利文献1中记载有在c面蓝宝石基板上制作的半导体激光器。通过干式蚀刻形成半导体激光器的镜面。公开了激光器的谐振镜面的显微镜照片，并且记载有其端面的粗糙度约为50nm。

非专利文献2中记载有在(11-22)面GaN基板上制作的半导体激光器。通过干式蚀刻形成半导体激光器的镜面。

非专利文献3中记载有氮化镓系半导体激光器。提出为了将m面作为解理面(cleaved facets)用于激光谐振器，而生成向基板的c轴的倾斜方向偏光的激光。该文献中具体记载了在非极性面上扩大阱宽、在半极性面上缩小阱宽。

在先技术文献

非专利文献

[非专利文献1]Jpn.J.Appl.Phys.Vol.35,(1996)L74-L76

[非专利文献2]Appl.Phys.Express 1(2008)091102

[非专利文献3]Jpn.J.Appl.Phys.Vol.46,(2007)L789

发明内容

发明要解决的问题

根据氮化镓系半导体的能带结构，存在可激光振荡的若干跃迁。根据发明人的知识见解，认为在使用c轴向m轴的方向倾斜的半极性面的支撑基体的III族氮化物半导体激光器元件中，在使激光波导沿着由c轴及m轴规定的面延伸时，可降低阈值电流。在该激光波导的方向下，其中跃迁能量(导带能量与价带能量的差)最小的模式可激光振荡，在可进行该模式的振荡时，可降低阈值电流。

然而，在该激光波导的方向下，无法将c面、a面或m面等先前的解理面用于谐振镜。因此，为了制作谐振镜，而使用反应性离子蚀刻(RIE)来形成半导体层的干式蚀刻面。通过RIE法所形成的谐振镜在与激光波导的垂直性、干式蚀刻面的平坦性或离子损伤方面尚待改善。此外，当前的技术水平下用于获得良好的干式蚀刻面的工艺条件的导出成为较大的负担。

就发明人所知，至今为止，对于上述半极性面上所形成的同一III族氮化物半导体激光器元件，尚未实现向c轴的倾斜方向(OFF方向)延伸的激光波导与不使用干式蚀刻而形成的谐振镜用端面双方。

发明人进行了与本发明相关的专利申请(JP特愿2009-144442号)。

本发明鉴于上述情况而完成。本发明的目的在于提供一种III族氮化物半导体激光器元件的制作方法，其可提高在自六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的基板的半极性面上具有可降低阈值电流的激光谐振器的III族氮化物半导体激光器元件的谐振镜的平坦性，并且可降低阈值电流。

用于解决问题的手段