[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于包括：

在半导体衬底上形成的第1层间绝缘膜；

在上述第1层间绝缘膜中形成的第1栓塞；

在上述第1层间绝缘膜上形成且介电常数比氧化硅低的第2层间 绝缘膜；以及

在上述第2层间绝缘膜中形成且与上述第1栓塞连接的第1埋入 布线，

上述第1栓塞的上表面形成在比上述第1层间绝缘膜的上表面高 的位置，

上述第1埋入布线的下表面形成在比上述第1栓塞的上表面低的 位置，

上述第1埋入布线的最下表面形成在上述第2层间绝缘膜中，

在从上述第1埋入布线的最下表面到上述第1栓塞的上表面的距 离为长度L8，从上述第1层间绝缘膜的上表面到上述第1埋入布线的 最下表面的距离为长度L9时，长度L8＞长度L9成立。

2.一种半导体器件，其特征在于包括：

在半导体衬底上形成的第1层间绝缘膜；

在上述第1层间绝缘膜中形成的第1栓塞；

在上述第1层间绝缘膜上形成且介电常数比氧化硅低的第2层间 绝缘膜；以及

在上述第2层间绝缘膜中形成且与上述第1栓塞连接的第1埋入 布线，

上述第1栓塞的上表面形成在比上述第1层间绝缘膜的上表面高 的位置，

上述第1埋入布线的下表面形成在比上述第1栓塞的上表面低的 位置，

上述第1埋入布线的最下表面形成在上述第1层间绝缘膜中，

在从上述第1层间绝缘膜的上表面到上述第1栓塞的上表面的距 离为长度L10，从上述第1埋入布线的最下表面到上述第1层间绝缘 膜的上表面的距离为长度L11时，长度L10＞长度L11成立。

3.一种半导体器件，其特征在于包括：

在半导体衬底上形成的第1层间绝缘膜；

在上述第1层间绝缘膜中形成的第1栓塞；

在上述第1层间绝缘膜上形成且介电常数比氧化硅低的第2层间 绝缘膜；以及

在上述第2层间绝缘膜中形成且与上述第1栓塞连接的第1埋入 布线，

上述第1栓塞的上表面形成在比上述第1层间绝缘膜的上表面高 的位置，

上述第1埋入布线的下表面形成在比上述第1栓塞的上表面低的 位置，

在上述第1层间绝缘膜和上述第2层间绝缘膜之间形成膜厚比上 述第2层间绝缘膜薄的第1绝缘膜；

在上述第2层间绝缘膜和上述第1绝缘膜中形成上述第1埋入布 线，

上述第1埋入布线的最下表面形成在上述第1绝缘膜中，

在从上述第1层间绝缘膜的上表面到上述第1栓塞的上表面的距 离与上述第1绝缘膜的膜厚的差为长度L4，上述第1绝缘膜的膜厚与 从上述第1层间绝缘膜的上表面到上述第1埋入布线的最下表面的距 离的差为长度L5时，长度L4＞长度L5成立。

4.一种半导体器件，其特征在于包括：

在半导体衬底上形成的第1层间绝缘膜；

在上述第1层间绝缘膜中形成的第1栓塞；

在上述第1层间绝缘膜上形成且介电常数比氧化硅低的第2层间 绝缘膜；以及

在上述第2层间绝缘膜中形成且与上述第1栓塞连接的第1埋入 布线，

上述第1栓塞的上表面形成在比上述第1层间绝缘膜的上表面高 的位置，

上述第1埋入布线的下表面形成在比上述第1栓塞的上表面低的 位置，

在上述第1层间绝缘膜和上述第2层间绝缘膜之间形成膜厚比上 述第2层间绝缘膜薄的第1绝缘膜；

在上述第2层间绝缘膜和上述第1绝缘膜中形成上述第1埋入布 线，

上述第1埋入布线的最下表面形成在上述第2层间绝缘膜中，

在从上述第1埋入布线的最下表面到上述第1栓塞的上表面的距 离为长度L6，从上述第1层间绝缘膜的上表面到上述第1埋入布线的 最下表面的距离与上述第1绝缘膜的膜厚的差为长度L7时，长度L6 ＞长度L7成立。