[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

基板；

晶体管，其具备沿所述基板的厚度方向层叠的第一电子渡越层以及电子供给层；

第二电子渡越层，其在所述基板的上方与所述第一电子渡越层以及所述电子供给层平行地形成；

阳极电极，其与所述第二电子渡越层肖特基接合；以及

阴极电极，其与所述第二电子渡越层欧姆接合，

其中，所述阳极电极与所述晶体管的源极连接，

所述阴极电极与所述晶体管的漏极连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管具有在所述电子供给层上形成的n型GaN层。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管具有：

绝缘层，其形成在所述n型GaN层上，由AlN或者AlGaN构成；以及

第二n型GaN层，其形成在所述绝缘层上。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管位于所述基板与所述第二电子渡越层之间。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二电子渡越层位于所述基板与所述晶体管之间。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二电子渡越层含有p型半导体或者n型半导体。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二电子渡越层含有彼此晶格常数不同的至少2种半导体。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二电子渡越层含有GaN或者AlGaN。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置具有使所述晶体管和所述第二电子渡越层绝缘的绝缘层。

10.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述绝缘层含有选自AlN、AlGaN、p型GaN、掺Fe的GaN、Si氧化物、Al氧化物、Si氮化物以及C中的至少一种。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述阳极电极含有选自Ni、Pd以及Pt中的至少一种。

12.一种半导体装置，其特征在于，具有：

基板；

缓冲层，其形成在所述基板上；

第二电子渡越层，其形成在所述缓冲层上；

绝缘层，其形成在所述第二电子渡越层上；

第一电子渡越层，其形成在所述绝缘层上；

电子供给层，其形成在所述第一电子渡越层上方；以及

覆盖层，其形成在所述电子供给层上。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

在所述覆盖层、所述电子供给层、所述第一电子渡越层以及所述绝缘层上形成源极电极用的开口部以及阳极电极用的开口部，直至所述第二电子渡越层为止，

在所述覆盖层、所述电子供给层、所述第一电子渡越层以及所述绝缘层上形成漏极电极用的开口部以及阴极电极用的开口部，直至所述第二电子渡越层为止，

在所述源极电极用的开口部以及所述阳极电极用的开口部内，形成与所述第二电子渡越层肖特基接合的阳极电极，

在所述漏极电极用的开口部以及所述阴极电极用的开口部内，形成与所述第二电子渡越层欧姆接合的阴极电极，

所述阳极电极与所述电子供给层连接，

所述阴极电极与所述电子供给层连接，

在所述阳极电极与所述阴极电极之间，在所述电子供给层上方形成有栅极电极。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具有在所述电子供给层上形成的n型GaN层。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具有：

绝缘层，其形成在所述n型GaN层上，并由AlN或者AlGaN构成；以及

第二n型GaN层，其形成在所述绝缘层上。