[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

在以往，研究了高电子迁移率晶体管（HEMT：high electron mobility transistor），其中，高电子迁移率晶体管是指在基板的上方通过晶体生长形成AlGaN层以及GaN层，并将GaN层作为电子渡越层发挥作用的晶体管。GaN的带隙是3.4eV，其大于Si的带隙（1.1eV）以及GaAs的带隙（1.4eV）。因此，GaN系的HEMT的耐压高，有望作为汽车用等的高耐压电器件。

Si系的场效应晶体管中必然存在体二极管。体二极管以反并联的方式与晶体管连接，在用于大电力电源的全桥电路方式中，作为续流二极管（Free Wheel Diode）发挥作用。然而，GaN系的HEMT并不必然存在这样的体二极管。于是，提出了沿基板的厚度方向层叠了p型层以及n型层的pn结二极管与GaN系的HEMT连接的构造。

然而，对于到目前为止所提出的构造而言，二极管的动作易产生延迟。而且，伴随延迟，在二极管作为续流二极管动作之前，HEMT中流过逆电流，消耗电力会增大。另外，由于延迟，在向HEMT的源极以及漏极间施加了过电压时，二极管不会作为保护电路动作。

专利文献1：日本特开2009－164158号公报

专利文献2：日本特开2009－4398号公报

发明内容

本发明的目的在于提供能够使与晶体管连接的二极管适当地动作的半导体装置。

在半导体装置的一个方式中，设置有基板；晶体管，其具备沿所述基板的厚度方向层叠的第一电子渡越层以及电子供给层；第二电子渡越层，其在所述基板的上方与所述第一电子渡越层以及所述电子供给层平行地形成；阳极电极，其与所述第二电子渡越层肖特基接合；以及阴极电极，其与所述第二电子渡越层欧姆接合。所述阳极电极与所述晶体管的源极连接，所述阴极电极与所述晶体管的漏极连接。

附图说明

图1A是表示第1实施方式的半导体装置的构造的剖面图。

图1B是表示第1实施方式中的电极的位置关系的俯视图。

图2是立体地表示电极的位置关系的示意图。

图3A是表示制造第1实施方式的半导体装置的方法的剖面图。

图3B是继图3A之后，表示制造半导体装置的方法的剖面图。

图3C是继图3B之后，表示制造半导体装置的方法的剖面图。

图3D是继图3C之后，表示制造半导体装置的方法的剖面图。

图3E是继图3D之后，表示制造半导体装置的方法的剖面图。

图4是表示MOCVD装置的构成的图。

图5A是表示第2实施方式的半导体装置的构造的剖面图。

图5B是表示第2实施方式中的电极的位置关系的俯视图。

图6A是表示制造第2实施方式的半导体装置的方法的剖面图。

图6B是继图6A之后，表示制造半导体装置的方法的剖面图。

图6C是继图6B之后，表示制造半导体装置的方法的剖面图。

图6D是继图6C之后，表示制造半导体装置的方法的剖面图。

图6E是继图6D之后，表示制造半导体装置的方法的剖面图。

图7A是表示第1实施方式的变形例的剖面图。

图7B是表示第2实施方式的变形例的剖面图。

具体实施方式

以下，参照附图，具体地对实施方式进行说明。

（第1实施方式）

首先，对第1实施方式进行说明。图1A是表示第1实施方式的半导体装置的构造的剖面图，图1B是表示第1实施方式中的电极的位置关系的俯视图。另外，图2是立体地表示电极的位置关系的示意图。其中，图1A是表示沿图1B中的I－I线的剖面。