[发明专利]用于实现编程序列以增强晶元交错的系统和方法有效
申请号: | 201080069379.1 | 申请日: | 2010-12-22 |
公开(公告)号: | CN103140896B | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
发明(设计)人: | K.达克什纳默西;D.尤尔佐拉;R.纳加比拉瓦;O.施特拉斯伯格 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克科技有限责任公司 |
主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 实现 编程 序列 增强 交错 系统 方法 | ||
1.一种顺序地向存储器器件写入数据的方法,该方法包括:
在包括第一晶元和第二晶元的存储器器件中,第一晶元和第二晶元的每个包括多页:
接收第一数据集;
将所述第一数据集写到第一晶元和第二晶元的一页或多页;
在将所述第一数据集写到第一晶元和第二晶元的一页或多页之后,接收第二数据集;
将所述第二数据集的第一部分写到第二晶元的较低页;以及
在将所述第二数据集的第一部分写到第二晶元的较低页之后,将所述第二数据集的第二部分写到所述第二晶元的较高页。
2.如权利要求1的方法,其中所述第二数据集的第一部分和所述第二数据集的第二部分被写到所述第二晶元的不同页。
3.如权利要求1的方法,还包括:
在将所述第二数据集的第一部分写到所述第二晶元的较低页之前,将所述第二数据集的第三部分写到所述第一晶元的较高页;以及
在将所述第二数据集的第二部分写到所述第二晶元的较高页之后,将所述第二数据集的第四部分写到所述第一晶元的较低页。
4.如权利要求3的方法,其中在将所述第二数据集的第二部分写到所述第二晶元的较高页之后将所述第二数据集的第四部分写到所述第一晶元的较低页包括:
在将所述第二数据集的第二部分写到所述第二晶元的较高页之后近似320μs,将所述第二数据集的第四部分写到所述第一晶元的较低页。
5.如权利要求3的方法,其中在将所述第二数据集的第二部分写到所述第二晶元的较高页之后将所述第二数据集的第四部分写到所述第一晶元的较低页包括:
在将所述第二数据集的第二部分写到所述第二晶元的较高页之后立即将所述第二数据集的第四部分写到所述第一晶元的较低页。
6.如权利要求3的方法,还包括:
接收第三数据集;
在将所述第二数据集的第四部分写到所述第一晶元的较低页之后,将所述第三数据集的第一部分写到所述第一晶元的较高页;
在将所述第三数据集的第一部分写到所述第一晶元的较高页之后,将所述第三数据集的第二部分写到所述第二晶元的较低页;
在将所述第三数据集的第二部分写到所述第二晶元的较低页之后,将所述第三数据集的第三部分写到所述第二晶元的较高页;以及
在将所述第三数据集的第三部分写到所述第二晶元的较高页之后,将所述第三数据集的第四部分写到所述第一晶元的较低页。
7.如权利要求1的方法,其中第一数据集是64千字节的数据并且第二数据集是64千字节的数据。
8.如权利要求1的方法,其中在将所述第二数据集的第一部分写到所述第二晶元的较低页之后将所述第二数据集的第二部分写到所述第二晶元的较高页包括:
在将所述第二数据集的第一部分写到所述第二晶元的较低页之后近似20μs,将所述第二数据集的第二部分写到所述第二晶元的较高页。
9.一种存储器器件,包括:
通信接口;
存储器单元,包括第一晶元和第二晶元,第一晶元和第二晶元的每个包括多页;以及;
处理器,用于将通过所述通信接口接收的数据顺序地写到所述第一晶元和第二晶元的一页或多页,所述处理器被配置为:
通过所述通信接口接收第一数据集;
将所述第一数据集写到第一晶元和第二晶元的一页或多页;
在将所述第一数据集写到第一晶元和第二晶元的一页或多页之后,通过所述通信接口接收第二数据集;
将所述第二数据集的第一部分写到第二晶元的较低页;以及
在将所述第二数据集的第一部分写到第二晶元的较低页之后,将所述第二数据集的第二部分写到所述第二晶元的较高页。
10.如权利要求9的存储器器件,其中所述处理器将所述第二数据集的第一部分和所述第二数据集的第二部分写到所述第二晶元的不同页。
11.如权利要求9的存储器器件,其中所述处理器还被配置为:
在将所述第二数据集的第一部分写到所述第二晶元的较低页之前,将所述第二数据集的第三部分写到所述第一晶元的较高页;以及
在将所述第二数据集的第二部分写到所述第二晶元的较高页之后,将所述第二数据集的第四部分写到所述第一晶元的较低页。
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