[发明专利]透明导电薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，该方法包括：

传输设置有一个基板的载板至一个真空腔室；

利用电浆枪产生的电浆阳离子碰撞该基板的一个表面；

利用溅镀高折射氧化物于该基板表面，以形成一层高折射氧化层，同时该电浆阳离子碰撞该高折射氧化物；

利用溅镀低折射氧化物于该高折射氧化层上，以形成一层低折射氧化层，同时该电浆阳离子碰撞该低折射氧化物；以及

利用溅镀导电氧化物于该低折射氧化层上，以形成一层导电氧化层，同时电浆阳离子碰撞到导电氧化物；

其中，该高折射氧化物为五氧化二铌、三氧化二钛、五氧化二钽或二氧化锆，以及该低折射氧化物为二氧化硅、二氟化镁、二氟化钡或三氟化铝。

2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，该载板为平板状，且该基板是配置于该载板上。

3.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，于制造该透明导电薄膜之后，更包括图案化该透明导电薄膜步骤。

4.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，该基板的双面或单面上形成有小于或等于50μ的硬化膜，该基板包含聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、由聚甲基丙烯酸甲酯及聚碳酸酯组成的双层基板、由聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯及聚甲基丙烯酸甲酯组成的三层基板，或是由聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯组成的三层基板，且该基板具有小于或等于1.1mm的厚度。

5.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，在该基板的双面或单面上是形成有小于或等于50μ的硬化膜，该基板包含对苯二甲酸乙二酯、环烯烃聚合物、环烯烃共聚物、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚醚砜树脂薄膜，且该基板具有小于或等于200μ的厚度；或是在该基板的双面或单面上形成小于或等于50μ的硬化膜，该基板包含环烯烃聚合物、环烯烃共聚物、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚醚砜树脂薄板，且该基板具有等于或大于500μ的厚度。

6.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，该基板包含厚度小于或等于1.1mm的钢化玻璃或是厚度小于或等于1.1mm的钠钙玻璃或无碱玻璃，以化学性增强该基板的双面或单面。

7.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，该高折射氧化层的形成是持续进行直到该高折射氧化层厚度达到100nm为止。

8.根据权利要求1或7所述的透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，该高折射氧化物包含五氧化二铌、三氧化二钛、五氧化二钽或二氧化锆。

9.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，该低折射氧化层的形成是持续进行直到该低折射氧化层厚度达到100nm为止。

10.根据权利要求1或9所述的透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，该低折射氧化物包含二氧化硅、二氟化镁、二氟化钡或三氟化铝。

11.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，该导电氧化层的形成是持续进行直到该导电氧化层厚度达到20nm为止。

12.根据权利要求1或11所述的透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，该导电氧化层包含氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锡或铝掺杂氧化锌或锑掺杂氧化锡。