[发明专利]透明导电薄膜的制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关一种制造具有高穿透率的氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)透明导电薄膜的方法，特别是关于一种透明导电薄膜的制造方法，其中导电薄膜是在基板上形成预定薄膜层时，利用电浆阳离子碰撞此预定薄膜层而形成。

背景技术

一透明导电薄膜利用有穿透力的可见光明亮地显示给人们，同时并具有优良的导电率。

此透明导电薄膜是作为一透明电极，并应用于液晶显示器(LCD)、有机发光显示器(OLED)、发光二极体(LED)、液晶窗户(smart window)、光学元件、太阳能电池或是触控面板等。

透明导电薄膜是借助使用一种磁控溅镀方法(magnetron sputtering method)的真空镀膜来制造，并使用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO)或铝掺杂氧化锌(AZO)作为标靶材料(target material)。到目前为止，在这些已发展的材料中，氧化铟锡是最透明的，并具有良好导电率及良好的生产力，因此氧化铟锡是最常被使用作为透明电极的材料。

制造氧化铟锡透明导电薄膜的传统方法如下面所述。首先，一基板是设置于一真空腔室中。然后，将此真空腔室的初始真空状态设定为10^-6托(Torr)，并设定温度300℃给基板。接着，非常微量的氩气是注入此真空腔室中，使真空腔室被设定为大约10^-3托真空状态。施加射频电源给二氧化锡(SnO2)，并利用磁控溅镀方法来形成一SiO2薄膜；施加一直流电源给ITO以制造一ITO导电薄膜。

由于传统方法是提供大约300℃的温度给基板，此基板在此300℃温度下必须没有转变。因此，基板可能为透明的，并可能形成具有大约0.7或1.1毫米(mm)厚度的玻璃。

在玻璃基板上连续进行二氧化硅和ITO镀膜所形成的ITO透明导电薄膜是有限的使用在导航或类似的触控面板上。

当使用者借助手指、笔或类似者接触触控面板时，触控面板接收输入，以代替使用输入装置，例如，键盘或滑鼠。最近，触控面板可应用的领域已扩展到资讯电子装置的输入装置，例如，行动电话及携带型电动游戏机。

由于应用在资讯电子装置的触控面板必须是薄又轻，所以ITO薄膜是制造于一对苯二甲酸乙二酯(PET)软性薄板(flexible film substrate)上，由于PET薄板的软性，所以可以使用光学透明胶(optically clear adhesive，OCA)将ITO薄膜再次固定于薄塑胶或回火的玻璃上。因此，制造触控面板的一些生产过程势必会增加，因而减少生产力，此外，第二种问题也会增加，就是此触控面板的光透明度会恶化。

因此，在薄塑胶基板或薄钢化玻璃(tempered glass)基板上制造具有高透明度的ITO透明导电薄膜的新方法是有必要的。

具体来说，在制造使用静电电容的触控面板时，是在制造此ITO透明导电薄膜之后，进行图案化制程以移除部份ITO透明导电薄膜；此时，人们可以用肉眼轻易看到此图案，因此，有必要提出一种制造透明导电薄膜的新方法。

发明内容

本发明提供一种无须使用高温加热的透明导电薄膜的制造方法。

本发明亦提供一种透明导电薄膜的制造方法，其中在制造氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜后，图案化移除部份ITO透明导电薄膜时，肉眼看不到此图案。

根据本发明，在此是提供一种透明导电薄膜的制造方法，此方法包括：将设置有一基板的载板(carrier)传输至一真空腔室；利用电浆枪产生的电浆阳离子碰撞此传输基板的一表面；利用溅镀(sputtering)高折射氧化物于此基板表面，以形成一高折射氧化层，同时电浆阳离子碰撞高折射氧化物；利用溅镀低折射氧化物于此高折射氧化层上，以形成一低折射氧化层，同时电浆阳离子碰撞低折射氧化物；以及利用溅镀导电氧化物于此低折射氧化层上，以形成一导电氧化层，同时电浆阳离子碰撞导电氧化物。

上述的载板为一平板状，且此基板可以配置于此载板上。

在此基板的双面或单面上可以形成小于或等于50μ的硬化膜(Hard-coating)，此基板可包含聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacylate，PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate)、一由PMMA及聚碳酸酯组成的双层基板、一由PMMA、聚碳酸酯及PMMA组成的三层基板，或是由聚碳酸酯、PMMA、聚碳酸酯组成的三层基板，且基板具有小于或等于1.1mm的厚度。