[发明专利]一种FinFET晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种FinFET晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上生成一介质条；

在所述衬底上以所述介质条为掩膜进行离子注入使原先为单晶材料的衬底表面形成非晶层；

在所述衬底上生成覆盖所述介质条的非晶半导体层，然后将其进行热退火处理，使所述非晶层和所述非晶半导体层再结晶形成单晶层；

对预设计为晶体管源漏区的所述介质条两端区域做相应的处理形成保护层；

在所述保护层覆盖区域以外的介质条两侧形成再结晶的半导体侧墙，并在所述保护层覆盖区域内形成再结晶的半导体块；

去除所述侧墙之间的介质条，所述侧墙形成Fin体；所述半导体块形成Fin体两端的支撑块；所述Fin体两端的支撑块为晶体管的源漏区；

在所述衬底和所述半导体块上生成牺牲层，并在所述Fin体的两侧形成保护侧墙，然后将其进行氧化处理，使所述Fin体与所述衬底隔离；

去除所述保护侧墙，形成栅介质层和栅电极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为无掺杂或者轻掺杂的单晶半导体衬底。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述半导体侧墙的方法为：对所述再结晶的半导体层进行各向异性刻蚀，在所述保护层覆盖区域以外的介质条两侧形成再结晶的半导体侧墙。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底上生成的牺牲层覆盖所述Fin体，在去除所述保护侧墙步骤之后，还包括去除所述Fin体两侧的牺牲层步骤。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使所述Fin体与所述衬底隔离的步骤具体为：采用侧向氧化对其进行氧化处理，让Fin体的底部氧化形成一隔离层使Fin体与所述衬底隔离。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对预设计为晶体管源漏区的所述介质条两端区域做相应处理形成保护层的具体过程为：在预设计为晶体管源漏区的所述介质条两端区域覆盖光刻胶。

7.如权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述热退火的退火温度为600～900℃，处理时间为1～8小时，退火环境为无氧环境。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述衬底上生成所述介质条之后，还包括在所述衬底上生成一屏蔽层，然后才以所述介质条为掩膜注入相应的杂质使衬底表面形成非晶层。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质条为氧化硅条，所述非晶半导体层为非晶硅层。

10.一种FinFET晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上生成一介质条；

在所述衬底上生成覆盖所述介质条的非晶半导体层；

在所述衬底上以所述介质条为掩膜注入相应的离子使其在衬底表面形成非晶层，然后将其进行热退火处理，使所述非晶层和所述非晶半导体层再结晶形成单晶层；

对预设计为晶体管源漏区的所述介质条两端区域做相应的处理形成保护层；

在所述保护层覆盖区域以外的介质条两侧形成再结晶的半导体侧墙，并在所述保护层覆盖区域以内形成再结晶的半导体块；

去除所述侧墙之间的介质条，所述侧墙形成Fin体；所述半导体块形成Fin体两端的支撑块；所述Fin体两端的支撑块为晶体管的源漏区；

在所述衬底和所述半导体块上生成牺牲层，并在所述Fin体的两侧形成保护侧墙，然后将其进行氧化处理，使所述Fin体与所述衬底隔离；

去除所述保护侧墙，形成栅介质层和栅电极。