[发明专利]Flash EEPROM灵敏放大电路

权利要求书

1.一种Flash EEPROM灵敏放大电路，其特征在于，包括：

一基准电流源，用于给该灵敏放大电路提供基准电流；

一P类级联负反馈环路，其采用PMOS管实现级联结构，用于将参考单元位线或存储单元位线的电压钳位于预设的偏置电位；

一负载增益电阻，其一端为电压检测端，另一端为接地端接地，用于产生检测电压及参考检测电压；

所述基准电流源、P类级联负反馈环路与负载增益电阻依次串联，所述基准电流源产生的电流经参考单元或存储单元分流后流经所述负载增益电阻，产生的所述参考检测电压或检测电压送入后继差分比较器。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于：所述P类级联负反馈环路由PMOS管与放大器构成，该放大器的一输入端为所述预设的偏置电位，其另一输入端接所述PMOS管的源端，其输出端接所述PMOS管的栅极。

3.如权利要求1或2所述的电路，其特征在于：所述基准电流源、所述参考单元位线或存储单元位线均与PMOS管的源端，即所述放大器的另一输入端相接。

4.如权利要求1或2所述的电路，其特征在于：所述负载增益电阻电压检测端接所述PMOS管的漏端，此端同时作为所述后继差分比较器的输入端。

5.如权利要求1或2所述的电路，其特征在于：所述参考单元位线或存储单元的位线电压与所述负载增益电阻的电压检测端电压分居所述PMOS管源漏两端，并能够分别优化设置而不相互影响。