[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有ESD保护用N型MOS晶体管，并具有沟槽分离区，

所述ESD保护用N型MOS晶体管的漏区经由漏极延伸设置区与漏极接触区电连接，所述漏极延伸设置区沿着所述沟槽分离区的侧面和下表面设置，且由与所述漏区同一导电型的杂质扩散区形成，所述漏极接触区由与所述漏区同一导电型的杂质扩散区形成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

该半导体装置并排地配置有多个所述沟槽分离区，所述漏极延伸设置区沿着所述多个并排配置的沟槽分离区的侧面以及下表面设置，由与所述漏区同一导电型的杂质扩散区电连接而构成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述ESD保护用N型MOS晶体管的源区经由源极延伸设置区与源极接触区电连接，所述源极延伸设置区沿着所述沟槽分离区的侧面和下表面设置，且由与所述源区同一导电型的杂质扩散区形成，所述源极接触区由与所述源区同一导电型的杂质扩散区形成。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述漏极延伸设置区的方块电阻值与所述漏区的方块电阻值相同。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述ESD保护用N型MOS晶体管为DDD构造。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述ESD保护用N型MOS晶体管为偏移型漏极构造。