[发明专利]分栅闪存单元及其制作方法

权利要求书

1.一种分栅闪存单元制造方法，其特征在于，包含：

提供衬底，所述衬底包含至少两个第一区域和位于第一区域之间的第二区域，所述第一区域衬底表面依次形成有隧穿层、纳米晶层、阻挡层、控制栅；

在第二区域衬底内形成沟槽；

在所述沟槽表面形成隔离介质层，并形成填充满所述沟槽且厚度大于所述沟槽深度的字线；

在控制栅与字线相对的两侧形成源、漏区。

2.隧穿层依据权利要求1的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，形成位于第二区域的字线的步骤包括：

形成覆盖衬底表面的隧穿层；

在所述隧穿层表面形成含有开口的刻蚀停止层，所述开口的位置及宽度与第二区域的位置及宽度相对应；

以所述刻蚀停止层为掩膜，沿所述开口依次刻蚀所述隧穿层和衬底，形成沟槽；

在所述沟槽表面形成隔离介质层；

形成填充满所述沟槽且厚度大于所述沟槽的深度的字线。

3.依据权利要求1的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，形成位于第二区域的字线的步骤包括：

依次形成覆盖衬底表面的隧穿层、纳米晶层、阻挡层、多晶硅层；

在所述多晶硅层表面形成含有开口的刻蚀停止层，所述开口的位置及宽度与第二区域的位置及宽度相对应；

以所述刻蚀停止层为掩膜，依次刻蚀所述多晶硅层、阻挡层、纳米晶层、隧穿层，直至暴露所述衬底；

以刻蚀停止层为掩膜，刻蚀所述衬底，形成沟槽；

在所述沟槽表面形成隔离介质层；

形成填充满所述沟槽且厚度大于所述沟槽的深度的字线。

4.依据权利要求2的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，沟槽深度的范围是100-1000埃。

5.依据权利要求2的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，字线的宽度的小于0.18毫米。

6.依据权利要求1的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，所述隧穿层的材料是二氧化硅。

7.依据权利要求6的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，所述隧穿层的厚度的范围是50-100埃。

8.依据权利要求6的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料是氮化硅。

9.依据权利要求1的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，所述衬底为p型衬底，所述衬底还包含依次位于衬底表面的n型埋层和p阱，所述字线嵌入所述p型阱。

10.依据权利要求1的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，所述纳米晶层的厚度的范围是50-200埃。

11.依据权利要求1的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材料是二氧化硅。

12.依据权利要求1的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度范围是100-500埃。

13.依据权利要求1的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，所述纳米晶为硅纳米晶。

14.一种分栅闪存单元，其特征在于，包含：

衬底，所述衬底包含至少两个第一区域和位于第一区域之间的第二区域；

部分位于第二区域衬底内的字线，所述字线与衬底以隔离介质层隔开；

依次位于第一区域衬底表面的隧穿层、纳米晶层、阻挡层、控制栅；

纳米晶层、控制栅与字线以隔离介质层隔开；

位于控制栅与字线相对的两侧的源、漏区。

15.依据权利要求14的分栅闪存单元，其特征在于，所述侧墙的材料是二氧化硅。

16.依据权利要求14的分栅闪存单元，其特征在于，所述隧穿层的厚度的范围是50-100埃。

17.依据权利要求14的分栅闪存单元，其特征在于，所述衬底为p型衬底，所述衬底还包含依次位于衬底表面的n型埋层和p阱，所述字线嵌入所述p型阱。