[发明专利]具有复位功能的静态随机存储单元

权利要求书

1.一种具有复位功能的静态随机存储单元，其包括：

一第一反相器，该第一反相器包括第一驱动NMOS晶体管及第一负载PMOS晶体管，该第一驱动NMOS晶体管的栅极端与第一负载PMOS晶体管的栅极端相连，第一驱动NMOS晶体管的漏极端与第一负载PMOS晶体管的漏极端相连；

一第二反相器，该第二反相器包括第二驱动NMOS晶体管及第二负载PMOS晶体管，该第二驱动NMOS晶体管的栅极端与第二负载PMOS晶体管的栅极端相连，第二驱动NMOS晶体管的漏极端与第二负载PMOS晶体管的漏极端相连；

该第一反相器的输出端与该第二反相器的输入端相连，该第二反相器的输出端与该第一反相器的输入端相连，由此构成交叉耦合的锁存器，该锁存器连接在正电源电压和电源地之间；

一存取NMOS晶体管，其漏极与第一反相器的输出端相连，其栅极与字线连接，其源极与位线连接；

一复位上拉PMOS晶体管，其漏极与第二反相器的输出端相连，其栅极连接置数控制线，源极连接正电源电压；

一复位下拉NMOS晶体管，其漏极与第一反相器的输出端相连，其栅极连接清零控制线，源极连接电源地。

2.根据权利要求1所述的静态随机存储单元，其中所述字线与电源地线垂直。

3.根据权利要求1所述的静态随机存储单元，其中所述置数控制线与电源地线平行。

4.根据权利要求1所述的静态随机存储单元，其中所述清零控制线与电源地线平行。

5.一种具有复位功能的静态随机存储单元，其包括：

一第一反相器，该第一反相器包括第一驱动NMOS晶体管及第一负载PMOS晶体管，该第一驱动NMOS晶体管的栅极端与第一负载PMOS晶体管的栅极端相连，第一驱动NMOS晶体管的漏极端与第一负载PMOS晶体管的漏极端相连；

一第二反相器，该第二反相器包括第二驱动NMOS晶体管及第二负载PMOS晶体管，该第二驱动NMOS晶体管的栅极端与第二负载PMOS晶体管的栅极端相连，第二驱动NMOS晶体管的漏极端与第二负载PMOS晶体管的漏极端相连；

该第一反相器的输出端与该第二反相器的输入端相连，该第二反相器的输出端与该第一反相器的输入端相连，由此构成交叉耦合的锁存器，该锁存器连接在正电源电压和电源地之间；

一存取NMOS晶体管，其漏极与第一反相器的输出端相连，其栅极与字线连接，其源极与位线连接；

一复位上拉PMOS晶体管，其漏极与第二反相器的输出端相连，其栅极连接置数控制线，源极连接正电源电压。

6.根据权利要求5所述的静态随机存储单元，其中所述字线与电源地线垂直。

7.根据权利要求5所述的静态随机存储单元，其中所述置数控制线与电源地线平行。

8.一种具有复位功能的静态随机存储单元，其包括：

一第一反相器，该第一反相器包括第一驱动NMOS晶体管及第一负载PMOS晶体管，该第一驱动NMOS晶体管的栅极端与第一负载PMOS晶体管的栅极端相连，第一驱动NMOS晶体管的漏极端与第一负载PMOS晶体管的漏极端相连；

一第二反相器，该第二反相器包括第二驱动NMOS晶体管及第二负载PMOS晶体管，该第二驱动NMOS晶体管的栅极端与第二负载PMOS晶体管的栅极端相连，第二驱动NMOS晶体管的漏极端与第二负载PMOS晶体管的漏极端相连；

该第一反相器的输出端与该第二反相器的输入端相连，该第二反相器的输出端与该第一反相器的输入端相连，由此构成交叉耦合的锁存器，该锁存器连接在正电源电压和电源地之间；

一存取NMOS晶体管，其漏极与第一反相器的输出端相连，其栅极与字线连接，其源极与位线连接；

一复位下拉NMOS晶体管，其漏极与第一反相器的输出端相连，其栅极连接清零控制线，源极连接电源地。

9.根据权利要求8所述的静态随机存储单元，其中所述字线与电源地线垂直。

10.根据权利要求8所述的静态随机存储单元，其中所述清零控制线与电源地线平行。