[发明专利]薄膜电子元件的单片化方法及由其制造的电子元件搭载粘着性薄片有效
申请号: | 201110005767.X | 申请日: | 2011-01-07 |
公开(公告)号: | CN102163542A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 前岛和彦;仓知克行 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社;新科实业有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/304;H01L21/68;H01L21/78 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 电子元件 单片 方法 制造 搭载 粘着 薄片 | ||
技术领域
本发明涉及薄膜电子元件的单片化方法,特别涉及在单一的基板上形成多个薄膜电子元件并进行单片化的方法。另外,本发明涉及由该方法制造的电子元件搭载粘着性薄片。
背景技术
例如下述的专利文献1中公开了作为将在单一的基板上形成的多个电子元件单片化的方法。专利文献1的方法中,已完成的多个分割芯片以在第二粘结性薄片上的粘结剂层中相互分离地埋入的方式形成。接着,从第二粘结性薄片的背面侧将对象的分割芯片采用顶出针向上顶出。之后,采用具有吸着功能的拾取用的筒将对象的分割芯片拾取。
然而,专利文献1所记载的单片化方法中,分割芯片从第二粘结性薄片的背面侧按压而被顶出。因此,分割芯片上被施加应力,存在分割芯片损伤的情况。其结果,分割芯片的性能发生劣化,所以无法按照原样地将该方法应用于薄膜电子元件中。
专利文献1:日本特开2008-010464号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明是有鉴于这样的问题而悉心研究的结果,以提供一种能够抑制性能的劣化的薄膜电子元件的单片化方法以及由该方法制造的电子元件搭载粘着性薄片为课题。
解决课题的技术手段
本发明所涉及的薄膜电子元件的单片化方法具备:准备工序,准备第1基板,在其上面形成有相互分离的2个薄膜电子元件部;贴合工序,准备第2基板,以该第2基板经由薄膜电子元件部与第1基板相对的方式,通过粘结层将第1基板与第2基板贴合;露出工序,除去第1基板而使薄膜电子元件部与粘结层露出;贴附工序,将露出的薄膜电子元件部和粘结层与包含因加热而使粘着力下降的材料的粘着性薄片贴附;除去工序,从贴附有粘着性薄片的薄膜电子元件部和粘结层除去第2基板;露出工序,从粘着性薄片和薄膜电子元件部剥离粘结层而露出薄膜电子元件部;分离工序,通过加热粘着性薄片而使露出的薄膜电子元件部从粘着性薄片分离。
本发明所涉及的薄膜电子元件的单片化方法中,将露出的薄膜电子元件部和粘结层与粘着性薄片贴附,从粘着性薄片和薄膜电子元件部剥离粘结层。另外,加热包含因加热而使粘着力下降的材料的粘着性薄片而使薄膜电子元件部从粘着性薄片分离。这样,根据本发明所涉及的薄膜电子元件的单片化方法,能够不从粘着性薄片的背面侧物理意义上地按压作为单片化的对象的薄膜电子元件部,并能够将薄膜电子元件部从粘着性胶带分离,因此,对薄膜电子元件部施加的应力显著降低。其结果,能够抑制因外部应力而引起的薄膜电子元件部的性能的劣化。另外,伴随此,能够抑制制造工序中的成品率的低下。
另外,粘着性薄片优选为包含发泡性的材料。在此情况下,若对粘着性薄片进行加热,则粘着材料层加热发泡而成为多孔体,粘着性薄片的粘着力下降。因此,薄膜电子元件部从粘着性薄片简单地分离。另外,优选,2个薄膜电子元件部之间的间隔大于粘结层的厚度。由此,能够抑制对薄膜电子元件部施加的应力,并能够从粘着性薄片以及薄膜电子元件部容易地剥离粘结层。
另外,本发明所涉及的电子元件搭载粘着性薄片具备粘着性薄片和设置于粘着性薄片上的2个薄膜电子元件部,粘着性薄片包含因加热而使粘着力下降的材料。
本发明所涉及的电子元件搭载粘着性薄片中,由于粘着性薄片包含因加热而使粘着力下降的材料,所以能够不从粘着性薄片的背面侧物理意义上地按压作为单片化的对象的薄膜电子元件部,并能够加热粘着性薄片而使薄膜电子元件部从粘着性薄片分离。因此,能够大幅降低施加于薄膜电子元件部的外部应力。因此,根据本发明所涉及的电子元件搭载粘着性薄片,能够抑制因外部应力而引起的薄膜电子元件部的性能的劣化。另外,即使在将薄膜电子元件部从粘着性薄片分离之前,也能够得到如下效果。即由于2个薄膜电子元件部设置于粘着性薄片上,因而没有必要以单体操作2个薄膜电子元件部,能够与粘着性薄片一起进行操作。因此,搬送等变得容易,能够抑制薄膜电子元件部损伤。另外,由于薄膜电子元件部能够在粘结的状态下进行检查,因而与以往那样将薄膜电子元件部一个一个取出而进行检查的方法相比,能够削减费用,进而能够附加检查数据地装出。
发明的效果
根据本发明,提供了一种能够抑制性能的劣化的薄膜电子元件的单片化方法以及由该方法制造的电子元件搭载粘着性薄片。
附图说明
图1(a)为模式地表示由本实施方式所涉及的薄膜电子元件的单片化方法制造的电子元件搭载胶带的模式图。图1(b)为模式地表示本实施方式所涉及的薄膜电子元件的模式图。
图2(a)及(b)分别为模式地表示本实施方式所涉及的薄膜电子元件的单片化方法的一个工序的图。
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