[发明专利]一种多通道LDMOS及其制备方法

权利要求书

1.一种多通道LDMOS，包括位于衬底（1）中的源区（5）、漏区（6）、栅介质层（10）、场氧化层（11）、金属前介质（12）、漂移区（2）、衬底阱接触区（4）、衬底阱（7）、源极金属（8）和漏极金属（9），所述衬底阱（7）与所述漂移区（2）间无间隔，所述漂移区（2）的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相同，所述衬底阱（7）的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相反，其特征在于，还包括埋层条阵列，所述埋层条阵列包括至少一排横向排布的多个第一埋层条（3A），所述埋层条阵列位于所述场氧化层（11）下方、被所述漂移区（2）包围且距离所述场氧化层（11）一段距离，所述第一埋层条（3A）的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相反。

2.根据权利要求1所述的多通道LDMOS，其特征在于，还包括位于所述衬底阱（7）下且与所述衬底阱（7）接触的埋层（3B），所述埋层（3B）与所述第一埋层条（3A）的导电类型相同。

3.根据权利要求1或2所述的多通道LDMOS，其特征在于， 所述埋层条阵列还包括至少一排与所述多个第一埋层条（3A）相对应的多个第二埋层条（3’A），每排中的所述多个第一埋层条（3A）和所述多个第二埋层条（3’A）相间排布，且所述第二埋层条（3’A）与所述第一埋层条（3A）的导电类型相反。

4.根据权利要求3所述的多通道LDMOS，其特征在于，所述多通道LDMOS的沟道的导电类型为n型，所述第一埋层条（3A）为p型。

5.根据权利要求3所述的多通道LDMOS，其特征在于，所述多通道LDMOS的沟道的导电类型为p型，所述第一埋层条（3A）为n型。

6.一种多通道LDMOS的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在衬底（1）中形成漂移区（2），所述漂移区（2）的导电类型与待形成的多通道LDMOS的沟道导电类型相同；

S2、进行有源区刻蚀并进行硅局部氧化形成场氧化层（11）；

S3、在所述漂移区（2）中形成埋层条阵列，所述埋层条阵列包括至少一排横向排布的多个第一埋层条（3A），所述埋层条阵列位于所述场氧化层（11）下方且距离所述场氧化层（11）一段距离，所述第一埋层条（3A）的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道的导电类型相反；

S4、在所述衬底（1）中形成衬底阱（7），所述衬底阱（7）与所述漂移区（2）间无间隔，且所述衬底阱（7）的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道的导电类型相反；

S5、形成栅介质层（10），所述栅介质层（10）的一部分在所述衬底阱（7）的上方，另一部分在所述漂移区（2）的上方；

S6、离子注入形成的衬底阱接触区（4）、源区（5）和漏区（6）；

S7、形成接触孔、淀积形成金属前介质（12）及源漏金属（8、9）。

7.根据权利要求6所述的多通道LDMOS的制备方法，其特征在于，步骤S3中，还包括在所述衬底（1）中形成埋层（3B），所述埋层（3B）位于所述衬底阱（7）下且与所述衬底阱（7）接触，所述埋层（3B）与所述第一埋层条（3A）的导电类型相同。

8.根据权利要求6或7所述的多通道LDMOS的制备方法，其特征在于，所述埋层条阵列还包括至少一排与所述多个第一埋层条（3A）相对应的多个第二埋层条（3’A），每排中的所述多个第一埋层条（3A）和所述多个第二埋层条（3’A）相间排布，且所述第二埋层条（3’A）与所述第一埋层条（3A）的导电类型相反。

9.根据权利要求8所述的多通道LDMOS的制备方法，其特征在于，包括采用高能离子注入和高温推结的方法注入p型杂质和/或n型杂质。

10.根据权利要求9所述的多通道LDMOS的制备方法，其特征在于，步骤S3中，包括注入至少一次所述p型杂质和/或n型杂质，且每次的注入能量不同以便形成不同深度的多排埋层条（3A和/或3’A），每多注入一次，相应地在步骤S2中增加所述漂移区（2）的推结时间和相应杂质的注入剂量。