[发明专利]一种静态随机存储器及其实现方法无效
| 申请号： | 201110005847.5 | 申请日： | 2011-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102142275A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 王恩东;胡雷钧;李仁刚;秦济龙 | 申请（专利权）人： | 浪潮（北京）电子信息产业有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 栗若木;王漪 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静态 随机 存储器 及其 实现 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种静态随机存储器SRAM，其特征在于，包括：
存储阵列，包括多个存储单元对；
其中，所述存储单元对中包括2个存储单元，所述2个存储单元的电源走线重合，且电源走线的穿孔重合。
2.如权利要求1所述的SRAM，其特征在于：
所述存储阵列中，位于同一行上的存储单元共用一条字线，位于同一列上的存储单元共用一条位线；或者
所述存储阵列中，位于同一行上的存储单元共用一条位线，位于同一列上的存储单元共用一条字线。
3.如权利要求2所述的SRAM，其特征在于：
所述字线采用多晶硅实现。
4.如权利要求2或3所述的SRAM，其特征在于：
所述位线采用二铝实现。
5.一种静态随机存储器SRAM的实现方法，其特征在于，包括：
将每2个存储单元连接，使两者电源走线重合，电源走线的穿孔重合，组成一个存储单元对；
将多个存储单元对组成存储阵列。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：
令所述存储阵列中位于同一行上的存储单元共用一条字线，位于同一列上的存储单元共用一条位线；或者
令所述存储阵列中位于同一行上的存储单元共用一条位线，位于同一列上的存储单元共用一条字线。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：
采用多晶硅实现所述字线。
8.如权利要求6或7所述的方法，其特征在于：
采用二铝实现所述位线。
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