[发明专利]装置及其制造方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

一第一芯片，具有一第一侧及与其相对的一第二侧，该第一侧具有一第一区及一第二区；

一第一金属凸块，形成于该第一芯片的该第一侧的该第一区上，具有一第一平面尺寸；

一第二芯片，通过该第一金属凸块而接合至该第一芯片的该第一侧；

一介电层，位于该第一芯片的该第一侧上方，且包括直接位于该第二芯片上的一第一部、环绕该第二芯片的一第二部以及露出该第一芯片的该第一侧的该第二区的一开口；

一第二金属凸块，形成于该第一芯片的该第一侧的该第二区上且延伸进入该介电层的该开口内，具有一第二平面尺寸，该第二平面尺寸大于该第一平面尺寸；以及

一第一电子部件，通过该第二金属凸块而接合至该第一芯片的该第一侧。

2.如权利要求1所述的装置，其中该介电层包括防焊材料、光致抗蚀剂、高分子材料及硅胶中的至少一种。

3.如权利要求1所述的装置，其中该第二金属凸块的高度大于该第一金属凸块的高度。

4.如权利要求1所述的装置，其中该第二平面尺寸与该第一平面尺寸的比率大于5。

5.如权利要求1所述的装置，还包括一底胶材料，形成于该第一电子部件与该介电层之间的空间内。

6.如权利要求1所述的装置，其中该第一芯片包括形成于该第一芯片内且电性耦接至该第一金属凸块的一第一基底通孔电极，以及形成于该第一芯片内且电性耦接至该第二金属凸块的一第二基底通孔电极。

7.如权利要求6所述的装置，还包括一第二电子部件，接合至该第一芯片的该第二侧，且通过该第二基底通孔电极而电性耦接至该第一电子部件。

8.如权利要求6所述的装置，还包括：

一第三芯片，通过该第二金属凸块而接合至该第一芯片；以及

一电子部件，接合至该第一芯片的该第二侧，且通过该第二基底通孔电极而电性耦接至该第三芯片。

9.一种装置制造方法，包括：

提供一晶片；

在该晶片上方形成一第一凸块下方金属层及一第二凸块下方金属层；

在该第一凸块下方金属层上形成一第一金属凸块并与其电性耦接；

将一第一芯片接合至该第一金属凸块；

形成一防焊涂布层，以覆盖该第一芯片及该晶片；

在该防焊涂布层内形成一开口，以露出至少一部分的该第二凸块下方金属层；以及

在该开口内形成一第二金属凸块，且电性耦接至该第二凸块下方金属层，其中该第二金属凸块大于该第一金属凸块。

10.如权利要求9所述的装置制造方法，还包括：

在该晶片内形成复数个基底通孔电极；以及

将一电子部件接合至该第二金属凸块，该电子部件择自于由装置芯片及封装基板所组成的群族，该第二金属凸块的平面尺寸与该第一金属凸块的平面尺寸的比率大于5。