[发明专利]发光器件、制造发光器件的方法、以及发光器件封装

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

支撑电极，所述支撑电极包括第一区域和第二区域，所述第二区域具有比所述第一区域的厚度薄的厚度和被形成在所述第一区域周围；

保护构件，所述保护构件在所述支持电极的所述第二区域上方；

反射层，所述反射层在所述支撑电极上方；以及

发光结构，所述发光结构位于所述反射层和所述保护构件上方，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述保护构件具有大约2μm至大约10μm的厚度。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述保护构件从所述第二区域向上突出。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述支撑电极被形成在其具有弯曲的空腔的横向侧处。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述保护构件包括从由SiO₂、Si_xO_y、Si₃N₄、Si_xN_y、SiO_xN_y、Al₂O₃、TiO₂、ITO、AZO以及ZnO组成的组中选择的至少一个。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述支撑电极包括从由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、CuW以及被掺杂有杂质的半导体衬底中的至少一个。

7.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括欧姆层，所述欧姆层在所述反射层和所述发光结构之间。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述欧姆层包括从由ITO、Ni、Pt、Ir、Rh以及Ag组成的组中选择的至少一个。

9.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述反射层包括从由Ag、Al、Pt、Pd以及Cu组成的组中选择的至少一个。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述支撑电极包括导电支撑构件和在所述导电支撑构件上方的结合层。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述结合层包括从由Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag以及Ta组成的组中选择的至少一个。

12.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述保护构件的内表面被倾斜。

13.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述结合层的第一区域具有的厚度大于所述结合层的第二区域的厚度。

14.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括电流阻挡层，所述电流阻挡层在所述发光结构和所述反射层之间。

15.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述保护构件的厚度是从所述有源层到所述保护构件的范围的厚度的至少两倍。