[发明专利]发光器件、制造发光器件的方法、以及发光器件封装

说明书

技术领域

本发明涉及发光器件、发光器件封装、以及制造发光器件的方法。

背景技术

发光二极管(LED)是将电流转换成光的半导体发光器件。近来，LED的亮度得以增加，使得LED已经被用作用于显示装置、车辆、或者照明装置的光源。另外，LED能够通过采用荧光材料或者组合具有各种颜色的LED而呈现出具有优秀的光效率的白色。

同时，LED制造工艺要求高精确度，并且在LED制造工艺中可靠性和高生产率是非常重要的。在这点上，已经执行了各种学习和研究，以确保LED制造工艺的可靠性。

发明内容

实施例提供能够提高可靠性的发光器件、发光器件封装、以及制造发光器件的方法。

根据实施例的发光器件可以包括：导电支撑构件；保护构件，该保护构件在导电支撑构件的顶表面的外围表面上方；反射层，该反射层在导电支撑构件上方；以及发光结构，该发光结构在反射层和保护构件上方，其中保护构件具有大约2μm至100μm的厚度。

根据实施例的制造发光器件的方法可以包括下述步骤：形成发光结构；在发光结构上形成具有大约2μm至100μm的厚度的保护构件；在保护构件内的发光结构层上形成反射层；在保护构件和反射层上形成导电支撑构件；以及沿着发光结构的芯片边界区域，通过执行隔离工艺将多个芯片划分为单独的芯片。

根据实施例的发光器件封装可以包括：主体；第一和第二电极，该第一和第二电极在主体上方；发光器件，该发光器件被电气地连接到主体上方的第一和第二电极；以及成型构件，该成型构件包围发光器件，其中，发光器件包括：导电支撑构件；保护构件，该保护构件在导电支撑构件的顶表面的外围表面上方，具有大约2μm至100μm的厚度；反射层，该反射层在导电支撑构件上方；以及发光结构，该发光结构在反射层和保护构件上方。

实施例能够提供能够提高可靠性的发光器件、发光器件封装、以及制造发光器件的方法。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图；

图2至图12是示出制造根据实施例的发光器件的方法的截面图；

图13是示出根据第二实施例的发光器件的截面图；

图14是示出根据第三实施例的发光器件的截面图；

图15是示出根据第四实施例的发光器件的截面图；

图16是示出根据第五实施例的发光器件的截面图；

图17是示出根据第六实施例的发光器件的截面图；

图18是示出包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的截面图；

图19是示出包括根据实施例的发光器件的背光单元的分解透视图；以及

图20是示出包括根据实施例的发光器件的照明单元的透视图。

具体实施方式

在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或者膜)、区域、图案、或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫、或另一图案“上”或“下”时，它能够“直接”或“间接”位于其它衬底、层(或膜)、区域、垫、或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述该种层的位置。

为了方便或清楚的目的，可以夸大、省略、或者示意性地绘制附图中所示的每层的厚度和尺寸。另外，元件的尺寸没有完全反映其实际尺寸。

在下文中，将会参考附图来描述根据实施例的发光器件、制造发光器件的方法、以及发光器件封装。

<第一实施例>

图1是示出根据第一实施例的发光器件100的截面图。

参考图1，发光器件100包括支撑电极，该支撑电极具有在支撑电极的横向侧处向内凹陷的弯曲表面172；反射层159，该反射层159被形成在是支撑电极的中心区域的第一区域上；欧姆层158，该欧姆层158被形成在反射层159上；保护构件155，该保护构件155被形成在第二区域上，所述第二区域被布置在位于支撑电极的中心处的第一区域周围；发光结构145，该发光结构145被形成在欧姆层158和保护构件155上；以及电极180，该电极180被形成在发光结构145上。

支撑电极包括导电支撑构件170和被形成在导电支撑构件170上的结合层160。

发光结构145是用于产生光的最小单元，并且至少包括第二导电半导体层150、第二导电半导体层150上的有源层140、以及有源层140上的第一导电半导体层130。

电极180和导电支撑构件170用作发光器件100的电极，并且将电力提供到发光结构145。