[发明专利]金属氧化物多晶体

说明书

技术领域

本发明涉及可有利地用于特别是通过电子束蒸镀法制造含有锶和钙的氧化物膜之际的多孔体，即蒸镀材料及其制造方法。本发明还涉及通过电子束蒸镀法制造含有锶和钙的氧化物膜的方法。

背景技术

交流型等离子体显示器（以下，称作AC型PDP）一般包含作为图像显示面的前面板和夹持填充有放电气体的放电空间而对向配置的背面板。前面板包含前面玻璃基板、形成在前面玻璃基板之上的一对放电电极、被覆放电电极的介电体层、以及形成在介电体层的表面的介电体层保护膜。背面板包括背面玻璃基板、形成在背面玻璃基板之上的寻址电极、被覆背面玻璃基板和寻址电极且分隔放电空间的隔板、以及配置于隔板的表面的用红、绿、蓝的荧光体形成的荧光体层。

AC型PDP中，对前面板的放电电极施加电压时，通过重复以下(1)～(4)的过程而增加放电空间内的荷电粒子数，通过荷电粒子的放电而产生真空紫外光。并且，通过产生的真空紫外光，红、绿、蓝的荧光体受到激发而产生可见光，通过该可见光的组合而形成图像。

(1)在放电电极间产生电场，存在于放电气体中的离子或电子等荷电粒子受到加速而与介电体层保护膜碰撞。

(2)通过荷电粒子的碰撞，从介电体层保护膜发射二次电子。

(3)发射的二次电子与未离子化的放电气体原子碰撞，生成放电气体离子。

(4)生成的放电气体离子通过上述(1)的过程而与介电体层保护膜碰撞。

上述(1)～(4)的过程中，介电体层保护膜不仅保护介电体层免受荷电粒子的碰撞造成的冲击，还发挥作为二次电子发射膜的功能。一般地，介电体层保护膜的二次电子发射系数高的，则AC型PDP的初始放电电压或放电维持电压有降低的倾向。因此，介电体层保护膜要求对荷电粒子的耐冲击性高(即，耐溅射性高)，且二次电子发射系数高(即，初始放电电压或放电维持电压的降低效果高)。

介电体层保护膜虽然广泛利用氧化镁膜，但最近与氧化镁相比，二次电子发射系数高的含有锶和钙的氧化物膜更受到关注。

介电体层保护膜的制造方法广泛利用电子束蒸镀法。在通过电子束蒸镀法制造氧化物膜之际使用的蒸镀材料优选难以发生吸湿。这是因为蒸镀材料大量含有水分时，则在利用电子束蒸镀法制造氧化物膜之际，有可能蒸镀材料中的水分发生气化，电子束蒸镀装置的真空腔内的压力变得不稳定，所得的氧化物膜变得不均匀的缘故。但是，含有锶和钙的氧化物却有吸湿性高的问题。

专利文献1中，作为吸湿性低的含有锶和钙的氧化物膜制造用的蒸镀材料的制造方法，记载了使含有平均粒径在0.01～15μm的范围的碳酸锶粉末与平均粒径在0.01～15μm的范围的碳酸钙粉末和/或氢氧化钙粉末的成型体烧结的方法。其中，该专利文献1的实施例中记载的使用上述方法制造得到的多晶体，在温度20℃、湿度50%的条件下的48小时后的质量增加率为0.20～0.50质量%。应予说明，该专利文献1中进而还记载了向成型体中添加作为烧结助剂的氧化钇粉末、氧化铈粉末、氧化锆粉末、氧化钪粉末、氧化铝粉末、氧化铬粉末等金属氧化物粉末。

专利文献2中记载了通过用氟化物层被覆蒸镀材料的表面来降低蒸镀材料的吸湿性。根据该专利文献2的实施例的记载，包含用氟化物被覆表面的含有锶和钙的氧化物的蒸镀材料在大气中放置7天时的质量增加率为0.2%。

专利文献3中记载了通过用硫酸化物和/或硫化物被覆蒸镀材料的表面来降低蒸镀材料的吸湿性。根据该专利文献3的实施例的记载，包含用硫酸化物层(硫化物层)被覆表面的含有锶和钙的氧化物的蒸镀材料在大气中放置7天时的质量增加率为0.2%。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2009-256195号公报

[专利文献2]日本特开2002-294432号公报

[专利文献3]日本特开2004-281276号公报。

发明内容

[发明要解决的课题]

由专利文献1中记载的方法得到的蒸镀材料依然存在吸湿性高的问题。专利文献2和专利文献3中记载的蒸镀材料存在因被覆蒸镀材料表面的氟化物或硫酸化物和/或硫化物发生气化，而在电子束蒸镀法或溅射法等物理气相生长法中，难以在稳定条件下制造氧化物膜的问题。

本发明的目的在于提供多晶体，其吸湿性低、且可有利地用作用于通过电子束蒸镀法等物理气相生长法在稳定的条件下制造含有锶和钙的氧化物膜的蒸镀材料。

[用于解决问题的手段]