[发明专利]一种N型多晶硅电池片及其生产方法

权利要求书

1.一种N型多晶硅电池片，包括电池片，电池片上端设有银铝电极(7)，下端设有银电极(2)，电池片包括从上到下的SiNx抗反射层(5)、P+射极层(9)、N型硅片(6)、N+射极层(4)及SiNx抗发射层(5)，其特征是：在SiNx抗反射层(5)与P+射极层(9)之间设有一层SiO₂钝化层(8)。

2.一种权利要求1所述的N型多晶硅电池片的生产方法，包括如下步骤：(1)制绒，(2)磷扩散，(3)硼扩散(4)抗反射，(5)丝网印刷，(6)烧结，其特征是：步骤(3)与(4)之间还包括步骤(3-1)在P+射极层(9)表面制备SiO₂钝化层(8)，步骤(4)抗反射中，在SiO₂钝化层(8)上面和N+射极层(4)下面分别镀上一层SiNx抗发射层(5)。

3.根据权利要求2所述的N型多晶硅电池片的生产方法，其特征是：包括如下步骤：

(1)制绒：将N型硅片(6)放入混合酸性蚀刻液中对N型硅片(6)表面进行方向性蚀刻，使暴露出的硅晶截面产生大小不一的金字塔形状的表面；

(2)磷扩散：在N型硅片(6)下面做N型磷扩散，磷原子经由高温扩散的方式进入硅晶格内，形成N+射极层(4)；

(3)硼扩散：在N型硅片(6)上面做P型硼扩散，硼原子经由高温扩散的方式进入硅晶格内，形成P+射极层(9)；

(3-1)湿化学制程：利用磷玻璃蚀刻机将残留物移除，将PN绝缘，利用湿氧化学作用在P+射极层(9)表面长成一层SiO2钝化层(8)；

(4)抗反射：利用电浆增强化学气象沉积法(PECVD)，分别在SiO2钝化层(8)上面和N+射极层(4)下面镀上一层SiNx抗发射层(5)；

(5)丝网印刷：利用网版印刷技术，于N型硅片(6)上印刷出所需要的电极样式，以收集电流；

(6)烧结：将正面的银铝胶及反面的银胶、铝胶，经由高温使其渗入硅晶体中形成牢固的电焊带。

4.根据权利要求3所述的N型多晶硅电池片的生产方法，其特征是：步骤(3-1)中湿氧化学作用的具体做法是将氧气通入90-100℃的去离子水中，再通入氧化炉内对多晶硅电池片进行湿氧化处理，氧气流量为1-1.5L/min，用HF溶液去除氧化层，最后用去离子水冲洗至少一遍，烘干后备用。

5.根据权利要求4所述的N型多晶硅电池片的生产方法，其特征是：HF溶液中HF与去离子水的体积比为1∶5-15。

6.根据权利要求3所述的N型多晶硅电池片的生产方法，其特征是：步骤(1)中混合酸性蚀刻液为质量分数为45％-50％的氢氟酸，质量分数为57％-64％的硝酸以及纯水的混合酸溶液，氢氟酸、硝酸的体积分数分别为12％-20％、45％-50％，其余为水。

7.根据权利要求3所述的N型多晶硅电池片的生产方法，其特征是：步骤(1)中蚀刻温度为-12℃-18℃，压力为0.1Mpa，蚀刻时间为25-230秒，蚀刻过程中通入0.2-0.8m³/h的氮气进行扰动。

8.根据权利要求3所述的N型多晶硅电池片的生产方法，其特征是：步骤(2)、(3)中的温度为850-950℃，步骤(6)中温度为800-900℃。

9.根据权利要求3所述的N型多晶硅电池片的生产方法，其特征是：步骤(3-1)中SiO₂钝化层(8)的厚度为5-10nm，步骤(4)中SiNx抗发射层(5)的厚度为60-80nm。