[发明专利]芯片封装体及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201110007938.2 申请日: 2011-01-14
公开(公告)号: CN102130071A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 吴上义;刘沧宇 申请(专利权)人: 精材科技股份有限公司
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L23/48;H01L21/50;H01L21/60;H01L33/00;H01L33/62
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 芯片 封装 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种芯片封装体,包括:

承载基底,具有上表面及相反的下表面,及具有第一侧面及第二侧面;

芯片,设置于该承载基底的该上表面或该下表面上,该芯片具有第一电极及第二电极;

第一沟槽,自该承载基底的该上表面朝该下表面延伸,且自该第一侧面朝该承载基底的内部延伸;

第一导电层,位于该第一沟槽的一侧壁上,该第一导电层不与该第一侧面共平面且隔有第一最短距离,且该第一导电层与该第一电极电连接;

第二沟槽,自该承载基底的该上表面朝该下表面延伸,且自该第二侧面朝该承载基底的内部延伸;以及

第二导电层,位于该第二沟槽的一侧壁上,该第二导电层不与该第二侧面共平面且隔有第二最短距离,且该第二导电层与该第二电极电连接。

2.如权利要求1所述的芯片封装体,其中该第一侧面与该第二侧面相对。

3.如权利要求1所述的芯片封装体,其中该第一侧面与该第二侧面大抵互相垂直。

4.如权利要求1所述的芯片封装体,其中该第一侧面与该第二侧面为同一侧面。

5.如权利要求1所述的芯片封装体,还包括绝缘层,其位于该第一导电层与该承载基底之间。

6.如权利要求1所述的芯片封装体,还包括绝缘层,其位于该第二导电层与该承载基底之间。

7.如权利要求1所述的芯片封装体,还包括凹陷,自该上表面朝该下表面延伸,其中该芯片设置于该凹陷的一底部之上。

8.如权利要求1所述的芯片封装体,其中该芯片为发光芯片。

9.如权利要求8所述的芯片封装体,还包括电路板,其具有第一接垫及第二接垫,位于该电路板的一表面上,其中该承载基底设置于该电路板之上,且该第一导电层及该第二导电层分别电连接至该第一接垫及该第二接垫。

10.如权利要求9所述的芯片封装体,其中该发光芯片的一出光表面的一法向量大抵平行于该电路板的该表面的一法向量。

11.如权利要求9所述的芯片封装体,其中该发光芯片的一出光表面的一法向量大抵垂直于该电路板的该表面的一法向量。

12.一种芯片封装体的形成方法,包括:

提供一承载晶片,其包括由多条预定切割道所划分的多个区域;

在该些预定切割道的位置上形成多个穿孔,贯穿该承载晶片的一上表面及相反的一下表面;

在该承载晶片上形成一导电材料层,该导电材料层延伸在该些穿孔的侧壁上;

将该导电材料层图案化为彼此分离的多个导电层,并使该些导电层不与该些预定切割道接触;

提供多个芯片,分别具有第一电极及第二电极;

将该些芯片分别对应地设置于该些区域上,每一该些区域上放置有至少一该些芯片,其中每一该些芯片的该第一电极及该第二电极分别与该些芯片所在的该些区域中的其中两个该些导电层电连接;以及

沿着该些预定切割道切割该承载晶片以分离出多个芯片封装体。

13.如权利要求12所述的芯片封装体的形成方法,其中该些穿孔的形成方法包括:

自该承载晶片的该些预定切割道的位置上形成多个孔洞,该些孔洞自该承载晶片的该上表面朝该下表面延伸;以及

自该下表面薄化该承载晶片以露出该些孔洞。

14.如权利要求13所述的芯片封装体的形成方法,还包括于该承载晶片中形成多个凹陷,该些凹陷自该上表面朝该下表面延伸,其中该些芯片分别设置于对应的该些凹陷的底部上。

15.如权利要求14所述的芯片封装体的形成方法,其中该些凹陷与该些孔洞同时形成。

16.如权利要求12所述的芯片封装体的形成方法,还包括于该导电材料层与该承载晶片之间形成一绝缘层。

17.如权利要求12所述的芯片封装体的形成方法,其中该些芯片包括发光芯片。

18.如权利要求17所述的芯片封装体的形成方法,还包括:

提供一电路板,具有第一接垫及第二接垫,位于该电路板的一表面上;以及

将其中一该些芯片封装体设置于该电路板上,使该芯片的该第一电极及该第二电极分别电连接至该第一接垫及该第二接垫。

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