[发明专利]无源组件到半导体封装体的附接

权利要求书

1.一种方法，包括：

在半导体裸片的表面上形成导电结构；

将所述半导体裸片附接至衬底；

形成用于封包所述半导体裸片的模制化合物；

在所述模制化合物中形成开口，所述开口用于至少部分地暴露所述导电结构；以及

通过所述模制化合物中的开口将无源组件电耦合至所述导电结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

在所述半导体裸片的有源表面上形成所述导电结构；以及

所述导电结构为所述半导体裸片提供电源和/或接地连接。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述导电结构包括凸块，所述凸块布置为形成所述无源组件与所述半导体裸片之间的(i)电连接或者(ii)电连接的一部分。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述导电结构包括焊区，所述焊区被布置为形成所述无源组件与所述半导体裸片之间的电连接的一部分。

5.根据权利要求2所述的方法，其中：

通过使用粘合剂将所述半导体裸片的非有源表面物理地耦合至所述衬底，将所述半导体裸片附接至所述衬底；

使用键合接线将所述半导体裸片的所述有源表面电耦合至所述衬底；以及

所述半导体裸片的有源表面包括低k值电介质材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中使用(i)刻蚀工艺或者(ii)激光工艺去除所述模制化合物的部分，来形成所述开口。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述将无源组件电耦合至所述导电结构包括：

将可焊接材料沉积到所述导电结构上，以使得所述可焊接材料被布置在所述开口内；

将所述无源组件定位在所述可焊接材料(i)上或者(ii)邻近；以及

加热所述可焊接材料以形成所述无源组件与所述导电结构之间的电连接。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述将无源组件电耦合至所述导电结构包括：

将可焊接材料沉积到所述无源组件上；

将所述无源组件定位到所述开口之上，以使得所述可焊接材料布置为(i)邻近所述开口或者(ii)在所述开口内；以及

加热所述可焊接材料以形成所述无源组件与所述导电结构之间的电连接。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述无源组件包括电容器，用于向所述半导体裸片提供附加电流；以及

所述无源组件实质上在所述开口之上布置在所述模制化合物上。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将焊料球附接至所述衬底，所述焊料球用于路由去往和/或来自所述衬底的半导体裸片的电信号。

11.一种半导体封装体，包括：

衬底；

半导体裸片，其耦合至所述衬底，所述半导体裸片具有形成在所述半导体衬底的表面上的导电结构；

模制化合物，其布置为实质上封包所述半导体裸片，所述模制化合物具有形成在所述模制化合物中的开口；以及

无源组件，其布置在所述模制化合物上，所述无源组件通过所述模制化合物中的所述开口电耦合至所述导电结构。

12.根据权利要求11所述的半导体封装体，其中：

所述导电结构形成在所述半导体裸片的有源表面上；以及

所述导电结构为所述半导体裸片提供(i)电源连接或者(ii)接地连接。

13.根据权利要求12所述的半导体封装体，其中所述半导体裸片的所述有源表面包括低k值电介质材料。

14.根据权利要求12所述的半导体封装体，其中所述导电结构包括凸块，所述凸块形成所述无源组件与所述半导体裸片之间的(i)电连接或者(ii)电连接的一部分。

15.根据权利要求12所述的半导体封装体，其中所述导电结构包括焊区，所述焊区形成所述无源组件与所述半导体裸片之间的电连接的一部分。

16.根据权利要求12所述的半导体封装体，其中：

使用粘合剂将所述半导体裸片的非有源表面附接至所述衬底；以及

使用键合接线将所述半导体裸片的有源表面电耦合至所述衬底。