[发明专利]无源组件到半导体封装体的附接

说明书

相关申请的交叉引用

本公开要求于2010年1月12日提交的申请号为61/294,425的美国临时专利申请的优先权，除了与本说明书不一致的部分(如果存在)之外，在此针对所有目的通过引用并入其全部说明书。

技术领域

本公开的实施方式涉及集成电路领域，并且更具体地涉及用于将无源组件附接至半导体封装体的技术、结构和配置。

背景技术

在此提供的背景描述是用于总体上呈现本公开的上下文的目的。就在此背景技术部分中所描述的程度上的当前提名发明人的工作，以及在提交时不作为现有技术的描述方面，都不能明示或者暗示地承认其为本公开的现有技术。

集成电路器件(诸如晶体管)形成在继续在大小上缩小至更小尺寸的半导体裸片上。半导体裸片的尺寸缩小通常导致更快的交换频率和/或增加的功率损耗，其可能使得大交换电流在半导体裸片的电源/接地互连中流动。与电源/接地互连相关联的噪声和/或电阻可能造成半导体裸片的电压下降，通常称为IR下降。过度的电压下降可能使半导体裸片的性能和/或可靠性降级。

目前，电容器可以直接附接在半导体裸片的表面上，以提供用于减轻上述电压下降的附加电流。然而，由于用于电容器和半导体裸片的材料的热膨胀的差异，将电容器直接固定到半导体裸片上可能在半导体裸片中产生裂缝。这种裂缝或者类似的缺陷可能由于用于制造当前电流半导体裸片的材料的易碎性而更加严重。

发明内容

在一个实施方式中，本公开提供了一种方法，包括：在半导体裸片的表面上形成导电结构；将半导体裸片附接至衬底；形成模制化合物以封包半导体裸片；在模制化合物中形成开口，该开口用于至少部分地暴露导电结构；以及通过模制化合物中的开口将无源组件电耦合至导电结构。

在另一实施方式中，本公开提供了一种半导体封装体，包括：衬底；半导体裸片，其耦合至衬底，该半导体裸片具有形成在半导体衬底的表面上的导电结构；模制化合物，其布置为实质上封包半导体裸片，该模制化合物具有形成在模制化合物中的开口；以及无源组件，其布置在模制化合物上，该无源组件通过模制化合物中的开口电耦合至导电结构。

附图说明

通过以下详细描述结合附图可以易于理解本公开的实施方式。为了便于进行该描述，相似的参考数字指示相似的结构性元件。在此以示例的方式而不是以附图中的各图中限制的方式来示出实施方式。

图1A-图1D示意性地示出了包括无源组件的附接的各种工艺操作之后的半导体封装体。

图2A-图2B示意性地示出了包括无源组件的附接的各种工艺操作之后的另一半导体封装体。

图3A-图3B示意性地示出了包括无源组件的附接的各种工艺操作之后的又一半导体封装体。

图4A-图4E示意性地示出了包括无源组件的附接的各种工艺操作之后的又一半导体封装体。

图5是制造半导体封装体以及附接无源组件的方法的工艺流程图。

图6示意性地示出了配置用于使用在此描述的半导体封装体的电子系统。

具体实施方式

本公开的实施方式描述了用于将无源组件附接至半导体封装体的技术、结构和配置。在以下详细描述中，对附图进行参考，该附图形成以下详细描述的一部分，其中相似的数字始终指示相似的部分。在不脱离本公开的范围的情况下，可以使用其他实施方式，并且可以做出其他结构上或者逻辑上的改变。因此，并非在限制的意义上进行以下详细描述，并且实施方式的范围由所附权利要求及其等同体限定。

该说明书可能使用基于透视的描述，诸如上/下和顶/底。此类描述仅用于帮助讨论，并不旨在将在此描述的实施方式的应用限制于任何特定方向。

为了本公开的目的，短语“A/B”的意思是A或者B。为了本公开的目的，短语“A和/或B”的意思是“(A)，(B)或者(A和B)”。为了本公开的目的，短语“A，B和C中的至少一个”的意思是“(A)，(B)，(C)，(A和B)，(A和C)，(B和C)或者(A，B和C)”。为了本公开的目的，短语“(A)B”的意思是“(B)或者(AB)”，也即A是可选元素。

以最有助于理解所要求保护的主题的方式，将各种操作描述为多个分离的操作。然而，描述的顺序不应当被理解为暗示这些操作必然是顺序相关的。特别地，这些操作可以不按照所呈现的顺序执行。可以按照与所描述的实施方式不同的顺序来执行所描述的操作。可以执行各种附加操作和/或在另外的实施方式中可以省略所描述的操作。